时间：2025/8/5 16:35:11
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VU0160-16N07 是一款由 Vishay 公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频应用。这款MOSFET采用先进的工艺制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于电源转换、电机控制和功率放大器等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：75V
漏极电流（Id）：160A
导通电阻（Rds(on)）：约3.7mΩ（最大值）
栅极电荷（Qg）：约190nC
功率耗散（Pd）：320W
封装形式：TO-263（D2PAK）
VU0160-16N07 MOSFET具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通状态下的功率损耗，提高了效率。其次，该器件的高漏极电流能力（160A）使其适用于高功率负载的应用。此外，该MOSFET的高频开关特性使其适合用于DC-DC转换器、同步整流和高频功率放大器。该器件的封装形式（TO-263）提供了良好的热性能，有助于在高功率操作中保持稳定的工作温度。
在可靠性方面，VU0160-16N07具备较高的短路耐受能力，并采用了先进的硅技术以提高器件的稳定性和寿命。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于现代电子制造的环保要求。
VU0160-16N07 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括高功率DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、太阳能逆变器、服务器电源和工业自动化设备。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理方案。此外，在汽车电子系统中，如车载充电器和电动车辆的功率控制系统，该MOSFET也具有广泛的应用潜力。
SiHF160N07、IRFB4110、FDP160N07、IPB160N07
