型号：VTU61B2
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：60 V
　　最大连续漏极电流（ID）@25°C：46 A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：180 A
　　最大栅源电压（VGSS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 10 V：9.5 mΩ
　　导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V：13 mΩ
　　栅极电荷（Qg）典型值：55 nC
　　输入电容（Ciss）典型值：2450 pF
　　开启延迟时间（td(on)）：12 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：32 ns
　　反向恢复时间（trr）：38 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

VTU61B2采用Vishay先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅衬底上构建垂直导电沟道来显著降低导通电阻并提高单位面积的电流密度。由于其基于沟槽结构的设计，使得器件在保持小型化的同时实现了极低的RDS(on)，这有助于减少功率损耗并提升系统的能效表现。该器件在VGS=10V时的典型导通电阻仅为9.5mΩ，在VGS=4.5V时也仅为13mΩ，表明其即使在较低驱动电压下仍能维持出色的导通性能，因此非常适合使用3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。
　　另一个关键优势是其出色的热管理能力。PowerPAK SO-8封装去除了传统引线框架设计中的焊线连接，改用铜夹片连接源极，大幅提升了散热效率并增强了电流承载能力。这种结构不仅降低了封装本身的寄生电感和电阻，还有效改善了长期工作的可靠性和耐久性。此外，该封装符合无铅焊接工艺要求，支持回流焊装配流程，便于自动化生产。
　　VTU61B2具备较低的栅极电荷（Qg=55nC）和输入电容（Ciss=2450pF），这意味着它在高频开关应用中表现出色，能够有效减小驱动损耗并加快开关速度。同时，其较短的开启与关断延迟时间（分别为12ns和32ns）进一步增强了动态响应能力，适用于同步整流、PWM控制和快速负载切换等对响应速度有严格要求的电路拓扑。此外，器件内置体二极管的反向恢复时间较短（trr=38ns），有助于抑制电压尖峰和电磁干扰，提高系统稳定性。
　　该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，展现出优异的环境适应性，可在极端温度条件下稳定运行，满足严苛工业环境的需求。同时，器件经过严格测试，具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）防护性能，增强了在异常工况下的鲁棒性。总体而言，VTU61B2是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的功率MOSFET解决方案，适用于现代高效电源系统设计。

VTU61B2因其低导通电阻、高电流能力和优异的热性能，被广泛应用于多种电力电子系统中。常见用途包括作为同步整流器在DC-DC降压变换器中使用，尤其是在服务器电源、笔记本电脑主板和嵌入式系统中，用于提高转换效率并减少发热。此外，它也常用于负载开关电路，控制电源路径的通断，保护后级电路免受浪涌电流影响，适用于USB电源管理、热插拔控制器等场景。
　　在电机驱动应用中，VTU61B2可用于H桥或半桥拓扑结构中作为低端或高端开关元件，驱动直流电机、步进电机或风扇等负载。其快速开关特性和低损耗特性有助于实现精确的速度控制和节能运行。在电池供电设备如便携式医疗仪器、电动工具和无人机中，该器件可用于电源路径管理和电池充放电控制，延长续航时间并提升系统效率。
　　此外，VTU61B2还可用于OR-ing二极管替代方案，防止反向电流流动，提升冗余电源系统的可靠性。在电信基础设施和网络设备中，该MOSFET用于点负载调节（POL）转换器，确保核心处理器和FPGA获得稳定的供电。由于其封装小巧且散热良好，非常适合高密度PCB布局需求。总之，VTU61B2适用于所有需要高效、紧凑且可靠的功率开关解决方案的应用领域。

SI4410DY, IRF7473PbF, CSD16406Q5