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VTO175-14I07 发布时间 时间:2025/8/5 12:05:38 查看 阅读:44

VTO175-14I07是一款由STMicroelectronics(意法半导体)制造的高功率双极性晶体管(BJT),属于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)类别。这种器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性,适用于高电压和高电流的应用场景。该器件广泛用于工业电机控制、电力电子转换器、逆变器以及新能源系统(如太阳能逆变器和电动汽车驱动系统)。

参数

类型:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
  最大集电极-发射极电压(VCES):1400V
  最大集电极电流(IC):175A
  短路电流能力:450A(典型值)
  工作温度范围:-50°C至+150°C
  封装类型:标准工业封装(如SOT-227或类似)
  导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值,IC = 175A时)
  短路耐受能力:5μs(典型值)
  栅极驱动电压范围:±20V
  最大功耗:约450W

特性

VTO175-14I07具备一系列先进的电气和热性能特性,以确保其在高功率应用中的可靠性和效率。首先,其高耐压能力(1400V VCES)使其适用于中高功率的电力电子设备,尤其是在需要高电压隔离的应用中。其次,最大集电极电流可达175A,使其能够处理较大的负载电流,适合高功率密度系统。
  此外,该器件具有优异的短路耐受能力,可在极端条件下提供保护,避免器件损坏。其短路电流能力为450A,且短路耐受时间为5μs,这为系统设计者提供了更高的安全裕量。
  VTO175-14I07的导通压降约为2.1V(在IC = 175A时),这意味着在高电流下仍能保持较低的导通损耗,提高系统整体效率。同时,其热阻较低,增强了器件在高温环境下的稳定性和可靠性。
  该器件的栅极驱动电压范围为±20V,使其兼容多种常见的IGBT驱动电路,并提供良好的开关性能。此外,其封装设计优化了散热性能,支持高效的热量管理,延长了器件的使用寿命。

应用

VTO175-14I07广泛应用于多种高功率电力电子系统中,特别是在需要高效能、高可靠性的场合。典型应用包括工业电机驱动(如变频器和伺服驱动器)、可再生能源系统(如太阳能逆变器和风力发电变流器)、电动汽车(如电动机控制器和车载充电器)以及智能电网和储能系统。
  在工业自动化领域,该器件用于构建高性能变频器,实现对电机速度和扭矩的精确控制。在新能源领域,VTO175-14I07的高效率和高可靠性使其成为太阳能逆变器和风力发电系统的核心功率器件。
  此外,该器件也适用于电力牵引系统,如电动公交车和轨道交通中的电机控制系统。在这些应用中,VTO175-14I07的高短路耐受能力和良好的热管理性能确保了系统的稳定运行,并提高了整体能效。

替代型号

VTO175-14IO7、VTO140-14I07、VTO175-14IO7H、VTO175-14IO7P

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