时间：2025/8/5 17:43:36
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VTO110-12I07是一款由Vishay公司制造的功率MOSFET模块，专为高功率应用设计。该模块集成了一个N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高电流能力，适用于需要高效能和高可靠性的场合。其封装设计有助于提高散热效率，从而延长设备寿命并提升性能。
类型：功率MOSFET模块
型号：VTO110-12I07
最大漏极电流（ID）：110A
最大漏-源电压（VDS）：1200V
导通电阻（RDS(on))：约7mΩ
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：双列直插式封装（DIP）
VTO110-12I07的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率；高电流能力使其适用于高功率应用；宽泛的工作温度范围确保了在极端环境下的稳定性；模块化设计简化了安装和维护过程，同时提高了系统的整体可靠性。此外，该模块还具备良好的热管理性能，能够有效散热，防止过热导致的性能下降或损坏。
该MOSFET模块采用先进的制造工艺和技术，确保了其在高压和大电流条件下的稳定运行。它还具有出色的短路耐受能力，能够在短时间内承受超过额定值的电流而不损坏，这对于保护电路免受突发故障的影响至关重要。此外，VTO110-12I07的设计考虑到了电磁干扰（EMI）问题，通过优化内部结构来降低EMI水平，从而减少了对外部滤波器的需求，降低了系统成本。
VTO110-12I07广泛应用于工业电机驱动、电动汽车充电器、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）系统以及各种需要高效能功率转换和控制的场合。其高可靠性和优异的性能使其成为许多高性能电力电子系统中的首选组件之一。
VTO110-12I07S
