时间：2025/8/21 6:41:14
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VT935G 是一款常用的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高开关速度的特点，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和功率放大器等应用场景。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流：30A
最大漏-源电压：60V
导通电阻（Rds(on)）：≤75mΩ
栅极电压范围：±20V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
VT935G 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗并提高效率。此外，该器件的高耐压能力使其适用于中高功率系统，同时具备良好的热稳定性，以确保长时间运行的可靠性。
这款MOSFET采用了先进的封装技术，具有良好的散热性能，通常采用TO-220或D2PAK封装形式，便于在各种电路中安装和使用。其高开关速度也使得VT935G适用于高频开关应用，例如同步整流、PWM控制等。
此外，VT935G具有较强的抗过载能力，并内置一定的静电放电（ESD）保护功能，从而提升了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
VT935G 常用于各类功率电子设备中，包括但不限于以下应用领域：电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动电路、LED照明驱动、电池充电器、工业自动化控制电路以及汽车电子系统等。由于其优异的导通性能和耐压特性，该器件特别适用于需要高效率和高可靠性的设计。
Si9410BDY, IRFZ44N, FDP33N06, IPD90N03S4-07
