型号：VT356F
　　通道类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：18A
　　导通电阻（RDS(on)）：7.5mΩ @ VGS=10V, 9.5mΩ @ VGS=4.5V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：920pF @ VDS=15V
　　反向恢复时间（trr）：未内部二极管优化
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　连续漏极电流（ID）@ 25°C：18A
　　脉冲漏极电流（IDM）：72A
　　最大功耗（PD）：2.5W @ TA=25°C
　　热阻结到环境（RθJA）：50°C/W
　　热阻结到外壳（RθJC）：1.5°C/W

VT356F采用Vishay先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的最佳平衡。其典型RDS(on)仅为7.5mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提高了电源系统的整体效率。该器件的沟道设计经过优化，能够在高频开关操作下保持稳定的性能表现，适用于现代高频率DC-DC变换器拓扑结构，如Buck、Boost和同步整流电路。
　　该MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为13nC（在VGS=10V时），有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而进一步降低开关损耗。此外，其输入电容（Ciss）为920pF，在同类产品中处于较低水平，有利于提升高频响应能力。器件的体二极管具有较快的反向恢复特性，虽然并非专门针对超快恢复进行优化，但在大多数通用开关应用中仍表现出良好的性能。
　　PowerPAK SO-8L封装是VT356F的一大亮点，该封装无引线设计不仅减小了寄生电感，还提升了散热效率。底部暴露焊盘可有效将热量从芯片传导至PCB，实现高效的热管理。这种封装方式特别适合自动化贴片生产，且符合现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。器件的工作结温范围可达+150°C，支持在高温环境下长期可靠运行。
　　VT356F具备良好的抗静电能力（ESD保护）和鲁棒的栅氧化层设计，能够承受一定程度的电压瞬变和过载条件。其通过AEC-Q101认证，意味着该器件已通过严格的应力测试，包括高温反偏、温度循环、湿度敏感性等，适用于车载信息娱乐系统、电动工具、LED驱动电源等对可靠性要求较高的应用场景。此外，该器件符合RoHS指令，不含铅和有害物质，满足绿色环保要求。

VT356F广泛应用于多种高效率、高密度的电源管理系统中。典型应用场景包括同步降压（Buck）转换器，其中作为高端或低端开关使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升转换效率并减少发热。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理单元（PMU）中，VT356F常用于电池开关、负载切换和电压调节模块，确保系统在待机和运行模式间的平稳切换。
　　该器件也适用于电机驱动电路，特别是在直流有刷电机和步进电机的H桥驱动中，VT356F可以高效地控制电流方向和大小，实现精确的速度与位置控制。在服务器和通信设备的多相VRM（电压调节模块）设计中，多个VT356F并联使用可分担大电流负载，提高系统的功率密度和动态响应能力。
　　此外，VT356F可用于LED照明驱动电路，作为恒流源的开关元件，实现高效的能量转换和调光功能。在太阳能逆变器、UPS不间断电源和工业电源系统中，该器件同样表现出色，尤其是在低压大电流输出的DC-DC转换阶段。由于其通过AEC-Q101认证，因此也被广泛用于汽车电子系统，例如车载充电器、车身控制模块、车灯驱动和电动座椅控制系统等。其紧凑的封装和优异的热性能使其非常适合安装在空间受限但散热需求高的环境中。

SiSS108DN-T1-GE3,Si3463EDV,SZBTA3005