电容值：2200 pF
　　容差：±0.25 pF
　　额定电压：50 V
　　介质材料：C0G (NP0)
　　封装/外壳：0805 (2012 公制)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：10,000 MΩ
　　介电系数：C0G/NP0

KTG2CCB2BNRNN 具备出色的温度稳定性，其电容值随温度变化非常小，非常适合需要高精度的电路设计。此外，该电容器具有低损耗特性，能够在高频应用中提供稳定的性能。其C0G/NP0介质材料保证了在不同温度下的电气性能稳定。
　　该电容器的另一个显著特性是其优异的长期可靠性，即使在恶劣的工作环境中也能保持稳定的性能。它的封装设计适合表面贴装技术（SMT），便于在现代电路板上进行快速和可靠的安装。
　　在电气性能方面，KTG2CCB2BNRNN 具有非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使得它在高频滤波和去耦应用中表现出色。其高绝缘电阻和低漏电流特性也使其在低功耗和高精度应用中非常适用。

KTG2CCB2BNRNN 常用于射频（RF）电路、振荡器、滤波器以及需要高稳定性和低损耗的精密模拟电路中。此外，它还广泛应用于通信设备、测试仪器、医疗电子设备以及工业控制系统等领域。
　　由于其优异的温度稳定性和高频性能，KTG2CCB2BNRNN 也常用于需要高可靠性的航空航天和汽车电子系统中。在这些应用中，电容器的性能稳定性和可靠性至关重要。

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