时间：2025/7/23 4:01:21
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VT262BWFQX-ADJ是一款由Vishay公司生产的表面贴装（SMD）功率MOSFET晶体管，专为高性能功率管理应用设计。该器件采用先进的TrenchFET?技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高效能和高可靠性的现代电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A（在25°C）
最大漏极-源极电压（VDS）：60V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为2.7mΩ（在VGS=10V时）
最大功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：PowerPAK? SO-8双封装（5x6mm）
VT262BWFQX-ADJ具有多项显著的技术特性，首先是其极低的导通电阻，这使得在高电流应用中能够有效降低功率损耗并减少发热。其次，该MOSFET采用先进的TrenchFET?技术，使得器件在较小的封装中实现更高的性能和效率。其PowerPAK? SO-8双封装设计优化了热管理和空间利用，确保了器件在高负载条件下的稳定运行。
此外，VT262BWFQX-ADJ具有良好的栅极电荷特性（Qg），从而减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。该器件还具备优异的雪崩能量承受能力，能够在瞬态电压条件下提供更高的可靠性。其栅极驱动电压范围较宽，支持在多种电源管理系统中灵活应用。
值得一提的是，VT262BWFQX-ADJ的表面贴装封装设计使其非常适合自动化生产，降低了PCB组装成本，同时提高了生产效率和产品一致性。这种设计也使得该器件能够更好地适应现代电子产品对小型化和高集成度的需求。
VT262BWFQX-ADJ广泛应用于多种高性能功率管理领域。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于同步整流和主开关，以提高转换效率并减少热量产生。在电源管理系统中，它常用于电池供电设备的电源开关和负载管理，提供高效稳定的电力传输。
此外，VT262BWFQX-ADJ也适用于电机控制和电源逆变器应用，如电动工具、无人机和机器人系统，其低导通电阻和高电流能力使其能够高效驱动高功率负载。在服务器和通信设备的电源模块中，该器件有助于提高能效和系统可靠性。
该MOSFET还常用于汽车电子系统，如车载充电器、电机控制器和车身电子模块，其高可靠性和宽工作温度范围使其能够适应严苛的汽车环境。
SiR182DP-T1-GE3, BSC090N03MSTB
