时间：2025/8/9 18:31:20
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2SK1096-MR是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，专为高频开关应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动器等电子电路中。其封装形式为SOT-223，适用于表面贴装工艺，便于在高密度PCB上安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：2.0A
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：SOT-223
2SK1096-MR具有多项优异的电气特性，使其适用于高频开关和高效率电源设计。其低导通电阻特性可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该MOSFET的高漏源击穿电压（600V）使其适用于高压应用，如开关电源和电机控制器。器件的栅极氧化层具备良好的耐久性，可承受±30V的栅源电压，提高了使用可靠性。SOT-223封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的散热性能，适合高密度和高功率密度的电路设计。
该MOSFET还具备快速开关能力，适用于高频工作环境，有助于减小外部电感和电容的尺寸，从而提升整体系统性能。此外，其良好的热稳定性确保在高温环境下仍能保持稳定运行，适合工业级应用场合。
2SK1096-MR常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器、电机控制电路、电池充电器以及各种功率开关电路。由于其高耐压特性和低导通电阻，该器件在高效率和高频率的电源变换系统中表现出色。此外，它也适用于消费类电子产品、工业自动化设备以及车载电子系统中的功率管理模块。
2SK2545, 2SK2608, 2SK2141
