CS5N65F 时间：2025/8/1 22:33:01 阅读：19

CS5N65F 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高电压、高频率的开关应用。该器件采用先进的平面技术，提供低导通电阻和高可靠性，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电源适配器等场合。CS5N65F 具有较高的耐压能力，额定电压可达 650V，适合于中高功率的应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：4.5A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：2.2Ω（最大值）
　　功率耗散（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220

特性

CS5N65F 具有以下显著特性：
　　首先，它具备较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗，提高系统效率。导通电阻的最大值为 2.2Ω，使得该器件在高电流应用中依然能够保持良好的性能。
　　其次，CS5N65F 采用先进的平面工艺技术，提高了器件的稳定性和可靠性。该器件具有良好的热性能，在高功率运行时依然能保持较低的温度上升，延长使用寿命。
　　第三，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 ±30V 的栅源电压，增强了其在不同驱动电路中的适应性。此外，其高耐压能力（650V）使其适用于高压开关电路，如 AC-DC 电源转换器和 LED 照明驱动器。
　　最后，CS5N65F 采用 TO-220 封装，便于安装和散热设计，适用于多种电源和功率电子设备。

应用

CS5N65F 广泛应用于各种功率电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　在电源管理方面，CS5N65F 常用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中作为主开关元件，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高电源转换效率。
　　在电机控制和驱动电路中，该器件可作为功率开关使用，适用于小型电机驱动和继电器替代应用。
　　此外，CS5N65F 还可用于 LED 照明系统的恒流驱动电路，提供稳定可靠的电流控制。
　　在工业自动化和智能家电中，CS5N65F 也可用于各种开关电源和功率调节模块，实现高效、紧凑的设计。