型号：UPM2A561MHD
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：120A
　　脉冲漏极电流IDM：480A
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=10V）：1.8mΩ
　　导通电阻RDS(on)（max @ VGS=4.5V）：2.5mΩ
　　阈值电压VGS(th)：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容Ciss：10600pF
　　输出电容Coss：1900pF
　　反向传输电容Crss：170pF
　　栅极电荷Qg（@10V）：95nC
　　体二极管反向恢复时间trr：35ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：DFN3x3-8L

UPM2A561MHD采用先进的沟槽式场效应晶体管技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能。其最大导通电阻在VGS=10V时仅为1.8mΩ，在同类60V N沟道MOSFET中处于领先水平，有效降低了大电流应用中的功率损耗，提升了能源转换效率。该器件在4.5V栅压下仍能保持2.5mΩ的低RDS(on)，表明其适用于由锂电池或3.3V逻辑信号直接驱动的低压控制电路，无需额外的电平转换或驱动芯片，简化了系统设计并降低成本。器件的高电流承载能力——连续漏极电流可达120A（@25°C），使其能够胜任高功率密度电源系统的需求，例如服务器电源、电动工具和电动车充电模块等。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，输入电容Ciss为10600pF，反向传输电容Crss仅为170pF，有助于减少开关过程中的能量损失和噪声干扰。较低的Crss意味着更强的抗dv/dt干扰能力，可防止误触发，提高系统可靠性。同时，95nC的总栅极电荷（Qg）在高频率PWM控制中表现良好，使得驱动功耗维持在合理范围内，有利于实现MHz级别的高速开关操作。体二极管的反向恢复时间trr为35ns，属于快速恢复类型，能够在同步整流拓扑中减少反向恢复损耗，避免电流交叉导通问题。
　　DFN3x3-8L封装不仅体积小巧（3mm×3mm），还通过底部裸露焊盘提供高效的热传导路径，配合PCB上的散热焊盘可将热量迅速传递至外部环境，确保器件在高负载下稳定运行。此封装无引脚设计也减少了寄生电感，进一步提升了高频响应能力。UPM2A561MHD经过严格的质量测试，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（H3TRB）和温度循环等可靠性验证，确保其在恶劣工作条件下的长期稳定性。其符合RoHS指令且不含卤素，满足现代绿色电子产品的环保要求。

UPM2A561MHD广泛应用于各类高效开关电源系统中，尤其适合需要高电流、低损耗和小尺寸封装的场合。典型应用包括但不限于：同步降压转换器（Buck Converter），用于CPU/GPU供电、VRM电压调节模块、DC-DC电源模块等；在这些应用中，该MOSFET作为下管（Low-Side MOSFET）或上管（High-Side MOSFET）参与高频切换，利用其低RDS(on)和快速开关特性显著提升转换效率。它也被用于升压变换器（Boost Converter）和半桥/全桥拓扑结构中，适用于工业电源、通信设备电源和LED驱动电源等领域。
　　在电池管理系统（BMS）中，UPM2A561MHD可用于电池充放电回路的通断控制，凭借其高电流处理能力和低导通压降，减少发热并延长电池使用寿命。此外，该器件适用于电机驱动电路，如无人机电调、电动自行车控制器和小型直流电机控制模块，作为主开关元件实现精确的PWM调速功能。由于其封装紧凑且散热良好，也常被集成于便携式设备电源管理单元中，例如移动电源、笔记本电脑适配器和USB PD快充头等产品。
　　在热插拔控制器和负载开关应用中，UPM2A561MHD可实现对电源路径的软启动和浪涌电流限制，保护后级电路免受冲击。其快速响应能力和稳定的栅极控制特性使其成为高性能数字电源和多相供电系统中的理想选择。同时，该器件也可用于逆变器、太阳能微型逆变器和储能系统的功率级设计，承担能量转换与调控的关键角色。

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　　 "UPA2A561MHD",
　　 "UTM2A561MHD",
　　 "APM2A561MHD",
　　 "SGM2A561MHD"
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