VT1547MAFQR 时间：2025/12/27 8:24:03 阅读：16

VT1547MAFQR是一款由Vishay Semiconductor生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、低导通电阻和快速开关性能而设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK SO-8L封装中，具有极低的热阻，适合在空间受限且需要高效散热的应用中使用。VT1547MAFQR特别适用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电源管理应用。其优化的栅极电荷与导通电阻乘积（RDS(on) × Qg）使其在高频开关条件下仍能保持优异的能效表现。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足现代电子产品对环保和可靠性的要求。器件经过严格测试，具备良好的雪崩能量耐受能力，增强了系统在瞬态条件下的鲁棒性。

参数

型号：VT1547MAFQR
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装形式：PowerPAK SO-8L
　　连续漏极电流（ID）：18 A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：30 V
　　导通电阻（RDS(on) max）：6.5 mΩ @ VGS = 10 V, 9.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.0 V
　　输入电容（Ciss）：1020 pF
　　输出电容（Coss）：390 pF
　　反向传输电容（Crss）：80 pF
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　栅极驱动电压推荐：4.5 V ~ 10 V
　　峰值脉冲漏极电流（IDM）：72 A
　　雪崩能量额定值（EAS）：有
　　封装尺寸：5 mm x 6 mm
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　符合RoHS：是
　　无卤素：是

特性

VT1547MAFQR采用Vishay先进的TrenchFET技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能平衡。其RDS(on)在VGS = 10 V时仅为6.5 mΩ，在4.5 V驱动下也仅9.5 mΩ，这使得它在低电压大电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统整体效率。器件的栅极电荷（Qg）典型值为18 nC，较低的栅极驱动需求有助于减少驱动电路的功耗，尤其适用于由控制器或逻辑电平信号直接驱动的场合。
　　该MOSFET的封装为PowerPAK SO-8L，这种封装结构具有优异的热性能，底部带有裸露焊盘，可通过PCB实现高效的热传导，有效降低结到环境的热阻，从而提升器件在高负载条件下的可靠性。其小型化封装（5 mm x 6 mm）非常适合空间受限的设计，如便携式设备、服务器电源模块和高密度电源板。
　　VT1547MAFQR具备良好的动态性能，输入电容（Ciss）为1020 pF，输出电容（Coss）为390 pF，反向传输电容（Crss）为80 pF，这些参数优化了器件的开关速度，减少了开关延迟和上升/下降时间，有助于在高频DC-DC转换器中实现更高的开关频率和更小的外围元件尺寸。同时，较低的Crss有助于抑制米勒效应，提升器件在高dV/dt环境下的抗干扰能力。
　　该器件支持高达150°C的最大结温，具备良好的高温工作稳定性。其内置的雪崩能量保护机制允许器件在感性负载关断过程中承受一定的反向能量冲击，提高了系统的鲁棒性。此外，产品通过AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），适用于汽车电子等高可靠性要求场景。总体而言，VT1547MAFQR是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求高效率和高功率密度的现代电源设计。

应用

VT1547MAFQR广泛应用于各类中低电压功率转换系统中。其主要应用场景包括同步整流型DC-DC降压转换器，尤其是在多相VRM（电压调节模块）中作为下管或上管使用，能够有效降低导通损耗，提高转换效率。在笔记本电脑、台式机主板、图形处理器（GPU）供电系统中，该器件可用于核心电压的稳压输出。
　　此外，它适用于负载开关电路，用于控制电源域的开启与关闭，如在移动设备中管理显示屏、存储器或外设的供电。由于其快速开关能力和低静态功耗，非常适合电池供电系统以延长续航时间。
　　在电机驱动应用中，VT1547MAFQR可用于H桥或半桥拓扑中的低端开关，驱动小型直流电机或步进电机，常见于打印机、扫描仪、家用电器和工业自动化设备中。
　　其他应用还包括热插拔控制器、OR-ing二极管替代、电源冗余管理、LED驱动电源以及电信和网络设备中的分布式电源架构。其高可靠性与紧凑封装也使其成为汽车信息娱乐系统、车身控制模块和辅助电源系统的理想选择。