FQD6N60C 时间：2025/5/8 19:23:12 阅读：33

FQD6N60C 是一款 N 沪硅晶圆制造的高压功率 MOSFET，主要用于开关电源、逆变器、电机驱动等应用。该器件采用了先进的 DMOS 工艺技术，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够在高频和高压环境下保持高效性能。
　　这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220，具备良好的散热性能和机械稳定性，适合多种工业和消费类电子应用。

参数

型号：FQD6N60C
　　类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：600V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　最大连续漏极电流 Id：6A
　　最大脉冲漏极电流 Ibm：36A
　　导通电阻 Rds(on)：5.5Ω（在 Vgs=10V 时）
　　总功耗 Ptot：140W
　　工作温度范围 Tj：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FQD6N60C 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：其 600V 的漏源电压使其能够承受较高的工作电压，非常适合高压电路的应用场景。
　　2. 低导通电阻：在栅极驱动电压为 10V 时，导通电阻仅为 5.5Ω，可有效降低功率损耗。
　　3. 快速开关速度：由于采用了先进的 DMOS 技术，该器件具备较低的输入电容和输出电容，从而实现快速开关，减少开关损耗。
　　4. 良好的热性能：TO-220 封装提供了出色的散热能力，使器件能够在高温环境下稳定运行。
　　5. 高可靠性：通过严格的工艺控制和测试流程，确保了器件在各种严苛条件下的可靠性。

应用

FQD6N60C 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于高效能 DC-DC 和 AC-DC 转换电路中，提供稳定的电源输出。
　　2. 逆变器：在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）系统中，作为主功率开关元件。
　　3. 电机驱动：适用于家用电器、工业设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路。
　　4. 电磁阀控制：用于工业自动化设备中，控制电磁阀的开闭。
　　5. 电池充电器：在高性能充电器中，用作开关管以实现快速充电功能。