FQD6N60C 是一款 N 沪硅晶圆制造的高压功率 MOSFET,主要用于开关电源、逆变器、电机驱动等应用。该器件采用了先进的 DMOS 工艺技术,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够在高频和高压环境下保持高效性能。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-220,具备良好的散热性能和机械稳定性,适合多种工业和消费类电子应用。
型号:FQD6N60C
类型:N沟道 MOSFET
最大漏源电压 Vds:600V
最大栅源电压 Vgs:±20V
最大连续漏极电流 Id:6A
最大脉冲漏极电流 Ibm:36A
导通电阻 Rds(on):5.5Ω(在 Vgs=10V 时)
总功耗 Ptot:140W
工作温度范围 Tj:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-220
FQD6N60C 具有以下显著特性:
1. 高耐压能力:其 600V 的漏源电压使其能够承受较高的工作电压,非常适合高压电路的应用场景。
2. 低导通电阻:在栅极驱动电压为 10V 时,导通电阻仅为 5.5Ω,可有效降低功率损耗。
3. 快速开关速度:由于采用了先进的 DMOS 技术,该器件具备较低的输入电容和输出电容,从而实现快速开关,减少开关损耗。
4. 良好的热性能:TO-220 封装提供了出色的散热能力,使器件能够在高温环境下稳定运行。
5. 高可靠性:通过严格的工艺控制和测试流程,确保了器件在各种严苛条件下的可靠性。
FQD6N60C 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):用于高效能 DC-DC 和 AC-DC 转换电路中,提供稳定的电源输出。
2. 逆变器:在太阳能逆变器和不间断电源(UPS)系统中,作为主功率开关元件。
3. 电机驱动:适用于家用电器、工业设备中的无刷直流电机(BLDC)驱动电路。
4. 电磁阀控制:用于工业自动化设备中,控制电磁阀的开闭。
5. 电池充电器:在高性能充电器中,用作开关管以实现快速充电功能。
FQP50N60C, IRF640, STP6NK60Z