类型：N沟道增强型MOSFET
　　材料：碳化硅（SiC）
　　漏源电压VDS：700 V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：80 A
　　连续漏极电流ID（@100°C）：40 A
　　脉冲漏极电流IDM：320 A
　　导通电阻RDS(on)：8 mΩ @ VGS = 18 V, ID = 40 A
　　栅极阈值电压VGS(th)：3.5 V（典型值）
　　输入电容Ciss：6500 pF @ VDS = 400 V
　　输出电容Coss：450 pF @ VDS = 400 V
　　反向恢复电荷Qrr：0 C（体二极管为肖特基势垒结构，几乎无反向恢复）
　　最大工作结温Tj(max)：175 °C
　　栅极驱动电压范围：+20 V / -5 V
　　封装形式：TO-247-4L

VST008N07HS的核心优势在于其基于碳化硅材料的物理特性所带来的卓越性能表现。首先，其低至8mΩ的导通电阻显著降低了在大电流应用中的导通损耗，提高了整体系统的能效。例如，在电动汽车主驱逆变器中，低RDS(on)意味着更少的能量转化为热量，从而减少散热需求并提升续航里程。其次，该器件具备极快的开关速度，得益于碳化硅材料的高临界电场强度和载流子迁移率，使得器件可以在数百kHz甚至MHz级别的频率下高效工作，适用于高频软开关拓扑如LLC谐振变换器和图腾柱PFC电路。这种高频能力有助于减小磁性元件（如电感和变压器）的体积和重量，进而实现电源系统的轻量化和小型化。
　　此外，VST008N07HS具有极低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这不仅减少了驱动功率需求，还增强了抗噪声干扰能力，降低了因寄生电感引起的电压尖峰风险。其体二极管采用SiC特有的肖特基结构，几乎不存在传统硅MOSFET中的反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），从根本上消除了反向恢复带来的开关损耗和电磁干扰（EMI）问题，尤其在硬开关和双向能量流动场景中表现出色。同时，该器件支持负压关断（典型-5V），增强了在高dV/dt环境下的抗干扰能力，防止误导通，提高系统可靠性。
　　热管理方面，VST008N07HS的最大结温可达175°C，远高于传统硅器件的150°C上限，使其能够在高温环境下稳定运行，适用于发动机舱内或密闭空间等恶劣工况。配合高效的封装热设计，热阻Rth(j-c)较低，确保热量快速传导至散热器。此外，四引脚TO-247-4L封装引入了开尔文源极（Kelvin Source），将驱动回路与功率回路分离，有效避免了共源电感对栅极控制信号的影响，提升了动态响应精度和开关一致性，特别适合多管并联应用。综合来看，VST008N07HS在效率、功率密度、可靠性和系统集成度方面均代表了当前碳化硅功率器件的先进水平。

VST008N07HS凭借其高耐压、低损耗、高频响应和高温稳定性的综合优势，广泛应用于多个高要求的电力电子领域。在新能源汽车领域，它被用于主驱逆变器中作为上下桥臂开关器件，实现电池直流电到三相交流电的高效转换，驱动电机运转；同时也应用于车载充电机（OBC）中的PFC升压级和DC-DC变换级，提升充电效率并缩小装置体积。在充电基础设施方面，该器件适用于直流快充桩的功率模块，支持更高的输出功率和更快的充电速度。
　　在可再生能源系统中，VST008N07HS可用于光伏并网逆变器的DC-AC转换级，尤其是在单相或三相组串式逆变器中，利用其低导通损耗和零反向恢复特性，显著提升转换效率，特别是在部分光照条件下的低负载效率表现优异。此外，在风力发电变流器中也可用于提升电能质量与系统效率。
　　工业电源领域，该器件适用于高功率服务器电源、通信电源和UPS不间断电源中的图腾柱无桥PFC电路，替代传统硅基IGBT或超结MOSFET，实现98%以上的系统效率。在工业电机驱动和变频器中，VST008N07HS可用于中小功率伺服驱动器，支持更高开关频率，降低电机谐波损耗，提升控制精度。此外，在高密度电源适配器、数据中心供电单元（PDUs）以及航空航天电源系统中，其高功率密度特性也极具吸引力。总之，凡是对效率、体积、重量和可靠性有严苛要求的应用场景，VST008N07HS都能提供强有力的技术支撑。

SCT3080KL-E11
　　CMF0080K7B
　　C3M0080070K