尺寸：3.2mm x 2.5mm x 1.3mm (EIA 3225-13)
　　电容值：150pF
　　容差：±0.5pF
　　额定电压：100V
　　介电材料：C0G/NP0
　　温度系数：0±30ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000MΩ 或 R*C ≥ 1000 sec
　　损耗因数（DF）：≤0.1%
　　端接类型：镍阻挡层+锡镀层
　　安装方式：表面贴装（SMT）

CBG322513U151采用先进的多层陶瓷制造工艺，内部由数十至上百层交替叠放的陶瓷介质与内电极构成，形成高效的电容结构，在保证小体积的同时实现稳定的电气性能。其使用的C0G（NP0）类陶瓷介质材料具有极佳的温度稳定性，电容值随温度变化几乎呈线性且偏移极小，确保在宽温范围内仍能维持精确的电容特性，适用于对频率稳定性要求极高的振荡电路、滤波器和谐振回路。该器件具有极低的介质损耗（DF ≤ 0.1%），意味着在高频工作条件下能量损耗极小，不会产生显著发热，从而提高系统整体效率并增强长期运行可靠性。
　　此外，CBG322513U151具备优异的抗老化性能，电容值在使用寿命内几乎不发生衰减，远优于X7R、Y5V等高介电常数材料制成的电容器。其电压系数极低，即使在接近额定电压下工作，电容值也不会明显下降，这使得它非常适合用于精密模拟电路、ADC/DAC参考电压旁路、射频匹配网络等关键位置。机械结构方面，该元件经过优化设计，具备较强的抗弯曲和抗热冲击能力，可在标准回流焊工艺（如J-STD-020定义的无铅焊接曲线）下安全焊接而不开裂。同时，端电极为镍阻挡层加锡镀层结构，有效防止银离子迁移，并提升与PCB焊盘之间的润湿性和连接强度。
　　该电容器还通过了多项国际认证，包括AEC-Q200（适用于部分车规型号）、RoHS合规性以及REACH环保指令，适用于汽车电子、医疗设备、航空航天等高可靠性领域。尽管其电容值相对较小（150pF），但由于其卓越的稳定性与可靠性，常被用作替代云母电容或薄膜电容的SMT解决方案，在缩小整机体积的同时提升生产自动化程度。

CBG322513U13主要用于高频及高稳定性要求的电子电路中，典型应用场景包括射频（RF）前端模块中的阻抗匹配网络、LC谐振电路、压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）滤波器以及各类精密定时电路。由于其C0G/NP0介质特性带来的极低温度漂移和电压依赖性，该器件特别适合用于通信设备如基站、无线收发模块、Wi-Fi/蓝牙模组中，作为关键信号路径上的旁路或耦合电容，以确保信号完整性不受环境温度波动影响。
　　在工业控制领域，CBG322513U151可用于PLC控制器、传感器信号调理电路、高精度测量仪器中的滤波和去耦环节，保障模拟前端的稳定性与准确性。在消费类电子产品中，常见于智能手机、平板电脑、数字电视等设备的电源管理单元和音频处理电路中，发挥噪声抑制和信号净化作用。此外，在汽车电子系统中，如ADAS驾驶辅助系统、车载信息娱乐系统和发动机控制单元（ECU），该电容器也因其可靠的性能表现而被广泛采用，尤其是在需要满足AEC-Q200标准的场合。
　　由于其出色的高频响应能力和低寄生参数（ESL和ESR较低），CBG322513U151还可用于高速数字系统的去耦设计，例如为FPGA、ASIC或微处理器的I/O电源提供局部储能，减少电源噪声对敏感信号的影响。同时，该器件也适用于医疗电子设备中的心率监测、超声成像等对长期稳定性和安全性有严格要求的应用场景。