时间：2025/11/8 8:25:19
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RSBC6.8CMT2N是一款由ROHM Semiconductor生产的齐纳二极管，专为高精度电压参考和稳定应用设计。该器件采用小型SOD-123表面贴装封装，适合在空间受限的印刷电路板（PCB）上使用。齐纳二极管是一种特殊类型的PN结二极管，在反向击穿区域工作时能够提供稳定的参考电压，广泛用于电源稳压、过压保护、信号电平转换等场合。RSBC6.8CMT2N的标称齐纳电压为6.8V，属于中等电压范围的齐纳管，具有良好的温度稳定性和低动态电阻特性，能够在宽温度范围内保持输出电压的稳定性。该产品符合AEC-Q101汽车级认证标准，适用于对可靠性要求较高的工业控制、汽车电子和消费类电子产品中。此外，其低漏电流和快速响应能力使其在低功耗和高频开关电路中也表现出色。
型号：RSBC6.8CMT2N
制造商：ROHM Semiconductor
封装类型：SOD-123
极性：齐纳二极管
标称齐纳电压：6.8V
容差：±2%
最大耗散功率：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
最大反向电流：1μA @ 12V
测试电流：5mA
动态阻抗：10Ω @ 5mA
RSBC6.8CMT2N具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势在于高精度的电压调节能力和出色的温度系数表现。该器件在额定测试条件下可提供精确的6.8V齐纳电压，且电压容差控制在±2%以内，确保了系统设计中的电压基准一致性。其动态阻抗仅为10Ω（在5mA测试电流下），意味着在负载变化时仍能维持较小的电压波动，提升了电源系统的稳定性。由于采用了先进的半导体制造工艺，该齐纳二极管在高温环境下仍能保持可靠的反向击穿特性，最大结温可达150°C，适用于严苛的工作环境。
此外，RSBC6.8CMT2N通过优化PN结结构降低了反向漏电流，在未达到击穿电压前的漏电水平极低（最大1μA @ 12V），有效减少待机状态下的能耗，特别适合电池供电或节能型设备。其200mW的最大功率耗散能力允许在有限散热条件下安全运行，结合SOD-123小型封装，实现了高性能与紧凑布局的平衡。产品还通过AEC-Q101车规认证，表明其在振动、湿度、温度循环等应力测试中均满足汽车电子的严苛要求，可用于车载传感器、ECU模块或LED照明驱动等应用场景。
该器件的另一个显著特点是良好的长期稳定性，即使在长时间连续工作后也能保持初始电压特性的高度一致，减少了因老化导致的系统漂移问题。同时，其快速的响应时间使其能有效抑制瞬态电压尖峰，提供一定程度的过压保护功能。综上所述，RSBC6.8CMT2N是一款集高精度、高可靠性和小尺寸于一体的齐纳二极管，适用于多种需要稳定电压参考的设计需求。
主要用于电源电压参考电路、线性稳压器反馈网络、过压保护钳位电路、信号电平转换、汽车电子控制系统、工业自动化设备、消费类电子产品中的电压监测模块以及电池管理系统的基准源设计。
RZC6.8BHTL,RSMC6.8CNT2N,MATZ6.8T1G
