类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：130 A（@TC=100°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大1.3 mΩ（@VGS=10 V）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：PowerPAK? 8x8 TrenchFET?
　　功耗（PD）：200 W

VSO013N10MSK的主要特性之一是其极低的导通电阻，最大值为1.3毫欧姆（mΩ），这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，从而提高系统效率。此外，该器件的漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率电源转换拓扑结构。
　　该MOSFET采用先进的TrenchFET?技术，结合PowerPAK? 8x8封装，提供了卓越的热性能和电流承载能力。其封装设计优化了散热路径，使得在高功率密度应用中能够保持较低的工作温度，从而提升器件的可靠性和使用寿命。
　　VSO013N10MSK还具备优异的开关性能，包括快速的上升和下降时间以及较低的开关损耗。这使得该器件在高频开关应用中表现出色，能够有效减少系统的开关损耗，提高整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的功耗。
　　该器件的工作温度范围宽达-55°C至175°C，适用于严苛的工业和汽车应用环境。它具有良好的热稳定性和抗热冲击能力，能够在高温环境下稳定工作，同时满足AEC-Q101汽车电子标准的要求。
　　此外，VSO013N10MSK内置的体二极管具有快速恢复特性，能够有效减少反向恢复损耗，适用于需要频繁开关的应用场景。

VSO013N10MSK广泛应用于多种电源管理系统和功率转换设备中。在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流器或主开关，以提高转换效率并减小系统尺寸。在电池管理系统中，VSO013N10MSK可用于高侧或低侧开关，实现对电池充放电过程的高效控制。
　　在服务器和电信电源系统中，该MOSFET可用于高效率的负载开关和稳压模块，提供稳定的电源输出。此外，在电机驱动和功率放大器等应用中，VSO013N10MSK的高电流能力和低导通电阻使其成为理想的选择。
　　由于其优异的热性能和可靠性，VSO013N10MSK也适用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）、48V轻混系统和电动助力转向（EPS）等应用。在这些应用中，该器件能够承受高温环境和较大的电流负载，确保系统的稳定运行。

SiSS130DN-T1-GE3
　　IRF130PBF
　　IPB013N10N3 G