型号：VSD025N10MS
　　制造商：VisIC Technologies
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
　　最大漏源电压（VDS）：1000 V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：25 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：100 A
　　最大栅源电压（VGS）：+6 V / -4 V
　　阈值电压（Vth）：典型值 2.7 V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值 45 mΩ @ VGS = 5.5 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 2800 pF
　　输出电容（Coss）：典型值 450 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：典型值 0 nC
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值 25 ns
　　封装形式：表面贴装，LGA或类似高功率密度封装
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

VSD025N10MS的核心优势在于其采用的D3GaN技术，这是一种基于GaN-on-SiC的横向器件结构，相较于传统的硅基器件或垂直结构的GaN器件，具有更低的寄生电感和更高的热稳定性。这种材料组合不仅提升了器件的耐压能力，还显著降低了导通损耗和开关损耗。在高频开关应用中，例如MHz级别的DC-DC变换器，VSD025N10MS能够实现远高于传统MOSFET的效率表现，同时减少电磁干扰（EMI）。其增强型（E-mode）设计确保了器件在默认状态下处于关闭状态，提高了系统的安全性和可靠性，无需复杂的负压关断电路即可实现正常操作。
　　另一个关键特性是其集成优化的封装设计，支持快速散热和低环路电感布局。该封装具备优异的热传导路径，将芯片结到外壳的热阻降至最低，从而允许器件在高负载条件下长时间稳定运行。此外，VSD025N10MS具有极低的输出电容和近乎零的反向恢复电荷，这使得它在硬开关和软开关拓扑中均表现出色，特别是在无桥PFC和LLC谐振转换器中可大幅降低开关节点振铃和能量损耗。由于没有体二极管反向恢复问题，系统可以实现更高的开关频率而不会导致效率急剧下降。
　　该器件还具备出色的动态性能，包括快速的开启和关断响应时间，有助于实现精确的门极控制和更高的PWM分辨率。其栅极驱动要求相对简单，兼容标准的隔离式栅极驱动器，进一步简化了系统设计。此外，VSD025N10MS通过了严格的工业级和汽车级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及温度循环测试，确保在长期运行中的稳定性和耐用性。这些特性共同使VSD025N10MS成为下一代高功率密度电源系统的关键组件。

VSD025N10MS主要面向高效率、高频率和高功率密度的电力转换系统。其典型应用之一是车载充电机（OBC）中的图腾柱无桥PFC电路，其中该器件能够在连续导通模式（CCM）或临界导通模式（CrM）下高效运行，显著提升功率因数并降低总谐波失真（THD）。在双向OBC设计中，VSD025N10MS也能胜任能量回馈工况下的高频开关任务。
　　在工业电源领域，该器件被广泛用于千瓦级服务器电源、电信整流器和高密度AC-DC模块，尤其是在采用全桥LLC或CLLC拓扑的主功率级中，能够实现超过98%的转换效率，并缩小变压器和滤波电感的体积。此外，在太阳能微型逆变器和储能系统中，VSD025N10MS可用于DC-AC逆变环节，支持单相或多相并网发电，利用其快速开关能力优化MPPT跟踪精度和并网电能质量。
　　在电机驱动方面，特别是电动汽车牵引逆变器或辅助电源系统中，VSD025N10MS凭借其高耐压和低RDS(on)特性，可在三相桥式拓扑中实现紧凑型设计，减少功率模块体积和重量，同时提高电动机的响应速度和运行效率。此外，该器件也适用于感应加热、激光电源和UPS不间断电源等高端工业设备，满足对高可靠性和长寿命的要求。随着GaN技术的成熟，VSD025N10MS正逐步取代传统硅器件，推动整个电力电子行业向更高效、更绿色的方向发展。

GaN Systems GS-E系列1000V器件
　　Navitas NV321x系列GaN IC
　　Polaris Semiconductor PS8004G