类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：48 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：190 A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：4.7 mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：6.2 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V
　　输入电容（Ciss）：2150 pF
　　输出电容（Coss）：620 pF
　　反向恢复时间（trr）：17 ns
　　最大功耗（PD）@25°C：2.5 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装：PowerPAK SO-8L

VS620PLJ的核心优势在于其基于Vishay成熟的TrenchFET技术所实现的超低导通电阻与优化的开关性能。该器件在VGS=10V时的典型RDS(on)仅为4.7mΩ，而在较低驱动电压VGS=4.5V下仍能保持6.2mΩ的低阻值，这使其非常适合应用于采用3.3V或5V逻辑电平驱动的现代电源管理系统。低RDS(on)显著减少了导通状态下的I2R损耗，有助于提高DC-DC转换器的效率，特别是在大电流输出的应用中效果更为明显。同时，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），虽然具体数值未在参数中列出，但从其电容参数推断，其Qg处于同类产品中的领先水平，这直接降低了驱动电路的功耗并加快了开关速度，从而减少开关损耗。
　　另一个关键特性是其出色的热性能和机械鲁棒性。PowerPAK SO-8L封装去除了传统引线框架中的“焊线”结构，采用双面冷却设计，使热量能够通过PCB和顶部同时散发，极大地提升了热传导效率。这种封装还避免了因热循环引起的焊点疲劳问题，提高了长期工作的可靠性。此外，VS620PLJ具备良好的抗雪崩能力，能够在电感负载突然断开或短路情况下承受一定的能量冲击，防止器件因电压尖峰而损坏。
　　该器件还具备快速的反向恢复时间（trr=17ns），这意味着体二极管的恢复速度较快，减少了在同步整流或半桥拓扑中因二极管反向恢复引起的交叉导通风险和EMI噪声。对于需要频繁开关操作的应用，如多相VRM（电压调节模块）或POL（点负载）转换器，这一特性尤为重要。综合来看，VS620PLJ在性能、可靠性和封装小型化方面达到了高度平衡，是高性能电源设计中的理想选择。

VS620PLJ广泛应用于需要高效能、高电流密度和小尺寸封装的电源系统中。其主要应用场景包括同步降压转换器，尤其是在笔记本电脑、台式机和服务器的CPU/GPU供电模块（VRM/POL）中，作为高边或低边开关使用。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升转换效率并降低温升，满足现代处理器对动态响应和能效的严格要求。此外，该器件也常用于DC-DC模块电源、负载开关电路和电池供电设备中的电源路径管理，例如平板电脑、移动基站和工业手持设备。
　　在电机驱动领域，VS620PLJ可用于H桥或半桥拓扑中的功率开关，控制直流电机或步进电机的启停与方向。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在持续运行和瞬态过载条件下仍能保持可靠工作。在电信和网络设备中，该MOSFET可用于隔离FET、热插拔控制器或冗余电源切换电路，确保系统在带电插拔或主备电源切换时的安全与稳定。
　　此外，VS620PLJ还可用于LED驱动、UPS不间断电源、太阳能逆变器的辅助电源以及各类消费类电子产品中的电源管理单元。其宽泛的工作温度范围和高可靠性也使其适用于工业自动化、汽车电子外围电源（非直接车载动力系统）等严苛环境下的应用。总体而言，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压大电流开关应用，VS620PLJ都是一个极具竞争力的解决方案。

SiSS108DN-T1-GE3
　　IRLHS6200PbF
　　BSC059N03LS