VS6018AS 时间：2025/4/28 11:32:25 阅读：3

VS6018AS是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，适用于多种功率转换和开关应用。它采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，广泛用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能和小封装的应用场景。
　　该器件采用了SOT-23封装形式，适合表面贴装技术(SMT)，从而节省了PCB空间并简化了装配过程。

参数

最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：1.8A
　　导通电阻(Rds(on))：95mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
　　栅极电荷(Qg)：4nC
　　总功耗(Ptot)：420mW
　　工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃

特性

VS6018AS的主要特点包括：
　　1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少功率损耗并提高系统效率。
　　2. 高速开关能力，适合高频应用。
　　3. 小巧的SOT-23封装，非常适合空间受限的设计。
　　4. 具备出色的热稳定性和可靠性，确保在各种条件下正常工作。
　　5. 栅极阈值电压较低，便于通过标准逻辑电平直接驱动。
　　6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。

应用

VS6018AS主要应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
　　2. DC-DC转换器及负载点(PoL)转换。
　　3. 电池保护电路和便携式设备中的负载开关。
　　4. 电机驱动和小型继电器控制。
　　5. 各种消费类电子产品中的信号切换功能。
　　6. 过流保护和电子保险丝实现。