时间：2025/9/7 8:11:11
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HG72C049FEV 是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，广泛应用于需要高性能内存的电子设备中。这款芯片以其高容量、低功耗和高速数据传输能力而闻名，适用于各种工业控制、通信设备、嵌入式系统等领域。HG72C049FEV采用先进的CMOS工艺制造，具备良好的稳定性和可靠性。
容量：4M x 9
类型：DRAM
电压：3.3V
封装：54-TSOP
工作温度：-40°C ~ 85°C
数据传输速率：166MHz
组织方式：x9
访问时间：5.4ns
HG72C049FEV是一款高性能的DRAM芯片，具备4M x 9的存储容量，适用于需要大量数据存储和高速访问的应用场景。该芯片的工作电压为3.3V，能够在-40°C至85°C的宽温度范围内稳定运行，适合工业级应用环境。其封装形式为54-TSOP，具有良好的散热性能和机械稳定性。
此外，HG72C049FEV支持166MHz的数据传输速率，访问时间为5.4ns，能够满足高速数据处理的需求。该芯片的x9组织方式使其在处理并行数据时表现出色，广泛应用于通信设备、嵌入式系统以及工业控制设备中。
其低功耗设计和高可靠性使其成为许多高性能系统的理想选择。由于其广泛的应用背景，HG72C049FEV在市场上的可获得性较高，且具备良好的技术支持和供应链保障。
HG72C049FEV常用于需要高性能内存的工业控制系统、通信设备、嵌入式系统、视频处理设备以及网络设备中。该芯片特别适用于需要快速数据访问和大容量存储的应用场景，如路由器、交换机、工业计算机和自动化控制设备等。
IS42S16400F-6T、CY7C1361BV-3.3V、IDT71V124SA、MT48LC16M1A2B4-6A
