型号：VS40280AT
　　制造商：Vishay Semiconductors
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大连续漏极电流（ID）：20 A（在TC = 25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：80 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10 V：4.5 mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5 V：6.2 mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.5 V，范围1.0 ~ 2.3 V
　　输入电容（Ciss）：典型值1920 pF @ VDS = 15 V, VGS = 0 V
　　输出电容（Coss）：典型值640 pF
　　反向传输电容（Crss）：典型值120 pF
　　总栅极电荷（Qg）：典型值37 nC @ VDS = 15 V, ID = 10 A
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值8 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值28 ns
　　封装类型：PowerPAK SO-8L
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C

VS40280AT采用Vishay先进的TrenchFET?技术，这种基于沟槽结构的制造工艺显著降低了器件的导通电阻，同时提升了单位面积内的载流能力。其超低的RDS(on)值在同类产品中处于领先水平，特别是在VGS = 10 V时，最大导通电阻仅为4.5 mΩ，这使得器件在大电流应用中能有效减少功率损耗，提升系统能效。该MOSFET还具备出色的热稳定性，得益于PowerPAK SO-8L封装的高效散热设计，其热阻（RθJC）低至1.5°C/W，能够在高负载条件下保持较低的结温，延长器件寿命并增强系统可靠性。
　　该器件的动态特性同样优异，输入电容和反向传输电容较小，有助于减少开关过程中的驱动损耗和米勒效应，从而实现快速开关响应。其总栅极电荷Qg仅为37 nC，在高频DC-DC转换器中可显著降低驱动电路的功耗。此外，VS40280AT的阈值电压较低且一致性好，确保了在低电压控制信号下也能可靠导通，适用于由逻辑电平信号直接驱动的应用场景。
　　在可靠性方面，VS40280AT经过严格测试，具备优良的抗雪崩能力和重复性脉冲电流承受能力，能够在电源瞬变或负载突变等恶劣工况下稳定运行。其符合AEC-Q101标准，表明其在温度循环、高温反偏、湿度敏感度等方面均达到汽车级质量要求，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求极高的场合。此外，器件采用无铅、无卤素材料，符合现代电子产品对环保法规的要求。

VS40280AT凭借其低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关性能，广泛应用于各类高效电源管理系统。在同步降压转换器中，它常被用作下管或上管MOSFET，配合控制器实现高效率电压转换，适用于服务器主板、笔记本电脑和通信设备的多相VRM设计。在负载开关电路中，VS40280AT可用于控制电源路径的通断，提供快速响应和低静态功耗，常见于便携式设备如智能手机和平板电脑中。
　　该器件也适用于电机驱动应用，尤其是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，能够有效降低导通损耗，提高驱动效率。在电池管理系统（BMS）中，VS40280AT可用于充放电控制开关，因其低RDS(on)可减少发热，提升系统安全性。此外，在热插拔控制器、OR-ing二极管替代方案以及DC-DC模块电源中，该MOSFET也能发挥其高性能优势。
　　由于其通过AEC-Q101认证，VS40280AT还可用于汽车电子系统，如车载充电器、LED照明驱动、电动座椅控制单元等。在工业自动化领域，它适用于PLC模块、传感器电源管理和工业电源适配器。总体而言，任何需要高效率、小尺寸和高可靠性的功率开关应用均可考虑使用VS40280AT作为核心开关元件。

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　　 "SiSS108DN-T1-GE3",
　　 "IRLHS3442",
　　 "AO4803",
　　 "FDMS86200",
　　 "FDMC86200"
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