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VS-8EWS12SPBF 发布时间 时间:2025/5/23 10:51:37 查看 阅读:14

VS-8EWS12SPBF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而显著降低功耗并提高系统效率。
  这款芯片特别适合高电流和高频应用场合,其出色的热性能确保了在严苛环境下的可靠运行。此外,它采用了表面贴装封装形式(SOT-227),方便自动化生产和焊接。

参数

最大漏源电压:80V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:35nC
  总功耗:15W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:SOT-227

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关能力,可有效降低开关损耗,在高频条件下表现优异。
  ,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  5. 表面贴装封装设计,便于大规模生产与组装。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应各种极端环境下的使用需求。

应用

VS-8EWS12SPBF 常用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载切换。
  4. 新能源汽车电子系统中的电池管理模块。
  5. LED 照明驱动电路。
  6. 各类保护电路,例如过流保护和短路保护。

替代型号

IRF840,
  STP12NK60Z,
  FDP15N80,
  IXTK12N80L

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VS-8EWS12SPBF参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类整流器
  • 产品Standard Recovery Rectifiers
  • 配置Single Dual Anode
  • 反向电压1200 V
  • 正向电压下降1.1 V
  • 正向连续电流8 A
  • 最大浪涌电流200 A
  • 反向电流 IR50 uA
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Tube
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 最小工作温度- 55 C
  • 工厂包装数量75