VS-8EWS12SPBF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而显著降低功耗并提高系统效率。
这款芯片特别适合高电流和高频应用场合,其出色的热性能确保了在严苛环境下的可靠运行。此外,它采用了表面贴装封装形式(SOT-227),方便自动化生产和焊接。
最大漏源电压:80V
连续漏极电流:12A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:35nC
总功耗:15W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:SOT-227
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提升整体效率。
2. 快速开关能力,可有效降低开关损耗,在高频条件下表现优异。
,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
5. 表面贴装封装设计,便于大规模生产与组装。
6. 宽泛的工作温度范围,适应各种极端环境下的使用需求。
VS-8EWS12SPBF 常用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源汽车电子系统中的电池管理模块。
5. LED 照明驱动电路。
6. 各类保护电路,例如过流保护和短路保护。
IRF840,
STP12NK60Z,
FDP15N80,
IXTK12N80L