时间：2025/5/29 18:37:20
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VS-75EPU12L-N3是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为开关电源、电机驱动和负载切换等应用设计。该器件采用N沟道增强型技术，能够提供高效率的电流控制能力和低导通电阻特性，从而降低能量损耗并提高系统整体性能。
这款芯片通常被用于工业设备、消费电子以及通信领域中的各种电路中，其封装形式和电气性能使其非常适合需要高频开关和高电流处理能力的应用场景。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：12A
导通电阻：3mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：超快恢复
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-247
VS-75EPU12L-N3具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以有效减少功率损耗。
2. 高效的热管理设计，确保在高温环境下仍能稳定运行。
3. 快速开关能力，适合高频操作环境。
4. 强大的过载保护功能，提高了产品的可靠性和寿命。
5. 符合RoHS标准，环保无铅制造工艺。
6. 出色的抗电磁干扰能力，适用于复杂电磁环境下的应用。
该芯片主要应用于以下几个方面：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 直流电机驱动器中的H桥或半桥配置。
3. 负载切换电路中的快速切换元件。
4. 太阳能逆变器及不间断电源（UPS）系统中的关键功率转换组件。
5. 各类工业自动化控制设备中的功率管理单元。
VS-75EPD12L-N3
IRFZ44N
FDP150AN
STP12NK60Z
