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VRH1801NTX 发布时间 时间:2025/6/4 1:27:47 查看 阅读:5

VRH1801NTX 是一款高性能的 N 沤道场效应晶体管(N-Channel MOSFET),广泛应用于功率转换、负载开关、电机驱动以及保护电路等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,可有效降低功耗并提高系统效率。
  VRH1801NTX 的封装形式为 SOT-23,这种小型化封装使其非常适合于空间受限的应用场合,同时保持了良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:30V
  最大栅源电压:±8V
  持续漏极电流:1.4A
  导通电阻:150mΩ
  总电容:12pF
  功耗:0.6W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C

特性

VRH1801NTX 的主要特点是低导通电阻和高开关速度。其 150mΩ 的导通电阻能够显著减少传导损耗,从而提升系统的整体效率。此外,该器件具备优异的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常运行。
  由于采用了 SOT-23 封装,VRH1801NTX 具有较小的外形尺寸,适合便携式设备和其他对空间要求严格的电子产品。此外,该器件还具有快速开关特性和低栅极电荷,有助于实现高频应用中的高效能表现。
  在设计方面,VRH1801NTX 可以轻松集成到各种电路中,例如 DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关等。其简单易用的特点也降低了开发难度,缩短了产品上市时间。

应用

VRH1801NTX 广泛用于需要高效功率管理的场景,具体包括但不限于以下领域:
  1. 手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载开关和电源管理。
  2. 笔记本电脑适配器和充电器中的同步整流。
  3. LED 驱动器和小型电机控制。
  4. 工业自动化设备中的信号切换和保护电路。
  5. 通信设备中的电源分配网络和瞬态保护。

替代型号

VRN1P4TMDA, BSS138PW, SI2302DS

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