晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）
　　过渡频率（fT）：80MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据档位不同）

KSC2073-HZ-GS是一款高性能的NPN晶体管，具有良好的高频响应特性，适用于射频和中频放大电路。其hFE值范围较宽，分为多个档位（例如O档：110-800），便于根据具体应用选择合适的增益等级。此外，该器件具有较高的集电极-发射极击穿电压（50V），可在中等电压环境下稳定运行。SOT-23封装提供了良好的热性能和机械稳定性，同时支持自动化贴片工艺。
　　该晶体管的低饱和压降（VCE(sat)）使其在开关电路中表现出色，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其封装材料符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子制造流程。KSC2073-HZ-GS还具备较高的可靠性，广泛用于通信设备、传感器电路、音频放大器和电源管理模块。

KSC2073-HZ-GS 主要用于需要高频放大和开关控制的电路中。常见应用包括射频放大器、中频放大模块、低噪声前置放大器、音频信号处理电路、数字开关电路、继电器驱动电路、LED驱动器、电源管理单元以及各种便携式电子设备中的信号处理模块。由于其SOT-23封装体积小巧，特别适合空间受限的便携式设备和高密度PCB设计。

2N3904, BC847, 2N4401, PN2222A