KTK5132V 时间：2025/12/28 15:01:18 阅读：9

KTK5132V 是一款由 KEC Corporation 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件具有高效率、低导通电阻和良好的热稳定性，适用于多种电子设备中的功率控制。

参数

类型: N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压(Vds): 30V
　　栅源电压(Vgs): ±20V
　　连续漏极电流(Id): 120A
　　导通电阻(Rds(on)): 4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　封装类型: TO-252 (DPAK)

特性

KTK5132V 具有极低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽技术，提供优异的热稳定性和更高的可靠性。
　　其栅极设计优化了开关性能，减少了开关损耗，适用于高频操作。
　　此外，KTK5132V 还具有较高的电流承载能力和过热保护特性，使其在恶劣的工况下也能稳定运行。
　　该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），便于安装在印刷电路板上，并具有良好的散热性能。

应用

KTK5132V 主要用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制、电源管理模块以及各种功率开关电路中。
　　它适用于笔记本电脑、服务器、通信设备和工业自动化设备等对功率效率要求较高的电子系统。
　　由于其高可靠性和低导通损耗，KTK5132V 也常用于电池供电设备中的功率管理电路，以延长电池使用寿命。