时间：2025/12/24 18:18:03
阅读：24
VRF141G 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率处理能力，广泛用于 DC-DC 转换器、电源管理和电机控制等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：20V
连续漏极电流（Id）：18A（在 Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-220AB
功率耗散（Pd）：150W
VRF141G 以其卓越的性能和可靠性著称。该器件采用先进的沟槽技术，提供极低的 Rds(on)，从而减少导通损耗并提高效率。由于其高电流处理能力和热稳定性，非常适合用于高功率密度的设计。
此外，VRF141G 具有良好的热阻性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的温度。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅极驱动，增强了设计的灵活性。
其 TO-220AB 封装提供良好的散热性能，同时具备较高的机械强度和耐用性，适用于各种工业和消费类应用。
VRF141G 常用于多种电力电子应用，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和逆变器系统。该器件的高效率和高可靠性使其成为工业控制和汽车电子系统的理想选择。
IRFZ44N, FDPF14N10A, STP18N10F7
