XRFM33P65 时间：2025/9/3 11:25:41 阅读：21

XRFM33P65 是一款由 X-REL 半导体公司推出的高性能、高可靠性功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为需要高效率和低导通损耗的应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高功率密度，适用于多种功率转换和管理场景。

参数

类型：功率MOSFET
　　封装类型：TO-220、TO-247（具体封装根据具体子型号）
　　漏源电压(Vds)：650V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：33A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.15Ω（具体值根据温度和电流变化）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　功率耗散(Pd)：160W（TO-220封装）或更高（TO-247封装）
　　技术：沟槽式MOSFET技术
　　极性：N沟道

特性

XRFM33P65 采用先进的沟槽式MOSFET技术，使其在高压应用中具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通损耗并提高整体效率。其高耐压能力（650V）使其适用于中高压功率转换器和开关电源系统。此外，该器件具备优异的热稳定性，能够在极端温度环境下稳定运行，适合工业级和汽车电子应用。
　　该MOSFET还具有较高的电流承载能力，支持高达33A的连续漏极电流，适用于大功率负载开关、DC-DC转换器和电机驱动等应用。XRFM33P65 的栅极驱动电压范围宽广（±20V），可与多种栅极驱动IC兼容，提高设计的灵活性。
　　此外，XRFM33P65 的封装设计优化了散热性能，确保在高功率密度环境下仍能保持良好的热管理。其高可靠性也使其成为汽车、工业和可再生能源系统中的理想选择。

应用

XRFM33P65 主要用于各种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、逆变器、UPS系统、LED照明电源、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和高温耐受性，该器件也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器（OBC）和电动助力转向系统（EPS）。