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XRFM33P65 发布时间 时间:2025/9/3 11:25:41 查看 阅读:10

XRFM33P65 是一款由 X-REL 半导体公司推出的高性能、高可靠性功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高效率和低导通损耗的应用设计。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻(Rds(on))和高功率密度,适用于多种功率转换和管理场景。

参数

类型:功率MOSFET
  封装类型:TO-220、TO-247(具体封装根据具体子型号)
  漏源电压(Vds):650V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):33A(在25°C环境温度下)
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.15Ω(具体值根据温度和电流变化)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  功率耗散(Pd):160W(TO-220封装)或更高(TO-247封装)
  技术:沟槽式MOSFET技术
  极性:N沟道

特性

XRFM33P65 采用先进的沟槽式MOSFET技术,使其在高压应用中具备极低的导通电阻(Rds(on)),从而减少导通损耗并提高整体效率。其高耐压能力(650V)使其适用于中高压功率转换器和开关电源系统。此外,该器件具备优异的热稳定性,能够在极端温度环境下稳定运行,适合工业级和汽车电子应用。
  该MOSFET还具有较高的电流承载能力,支持高达33A的连续漏极电流,适用于大功率负载开关、DC-DC转换器和电机驱动等应用。XRFM33P65 的栅极驱动电压范围宽广(±20V),可与多种栅极驱动IC兼容,提高设计的灵活性。
  此外,XRFM33P65 的封装设计优化了散热性能,确保在高功率密度环境下仍能保持良好的热管理。其高可靠性也使其成为汽车、工业和可再生能源系统中的理想选择。

应用

XRFM33P65 主要用于各种功率电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、逆变器、UPS系统、LED照明电源、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其高可靠性和高温耐受性,该器件也广泛应用于汽车电子系统,如车载充电器(OBC)和电动助力转向系统(EPS)。

替代型号

Infineon IPP65R380CQ-XTMA1
  ON Semiconductor NTD65N06CLT4G
  STMicroelectronics STW43NM60ND
  Texas Instruments CSD19532Q5B

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