时间：2025/6/14 12:46:55
阅读：4
VR75B0201C0G500NAT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用先进的制造工艺，主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
VR75B0201C0G500NAT属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为TO-263（D2PAK），适合表面贴装技术（SMT）应用。它在工业控制、消费电子以及通信设备中均有广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：90A
导通电阻：1.4mΩ
总栅极电荷：87nC
输入电容：2100pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在大电流条件下显著减少功耗。
2. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常情况下的可靠性。
3. 快速开关性能，支持高频操作，适用于高效能转换器。
4. 具备出色的热稳定性和抗浪涌能力，确保在恶劣环境下的长期使用。
5. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
6. 表面贴装封装，便于自动化生产和组装。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动
4. 汽车电子系统中的负载切换
5. 工业自动化控制
6. LED照明驱动电路
7. 电池保护和管理电路
IRF740,
STP90NE60,
FDP18N60,
IXYS-GES60N06L,
AO6702
