时间：2025/6/10 18:42:17
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VR75A0402HQC500NBT是一款由Vishay生产的功率MOSFET芯片，该器件属于TrenchFET Gen IV系列。它采用先进的沟槽技术制造，具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功耗并提高效率。这款MOSFET适用于高频率开关应用，支持广泛的工业和汽车级场景，如DC-DC转换器、负载切换以及电机驱动等。
类型：P-Channel MOSFET
电压等级(Vdss)：40V
连续漏极电流(Id)：-16.3A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ
栅极电荷(Qg)：29nC
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：PowerPAK? 8x8
VR75A0402HQC500NBT具备以下特点：
1. 极低的导通电阻（2.8mΩ @ Vgs=-10V），有助于减少导通损耗。
2. 高效的热性能设计，确保在高功率应用场景下的可靠性。
3. 支持高频操作，非常适合开关电源和DC-DC转换器应用。
4. 工作温度范围宽广（-55℃至175℃），适应各种恶劣环境条件。
5. 符合AEC-Q101标准，满足汽车级要求。
6. 具有出色的电气特性和稳健的机械结构，能够承受较高的浪涌电流和重复雪崩能量。
7. 封装形式为PowerPAK? 8x8，提供卓越的散热性能和更小的占板面积。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 汽车电子系统中的负载切换和保护电路。
2. 高效DC-DC转换器设计，包括降压和升压拓扑。
3. 开关模式电源（SMPS）中作为主开关元件。
4. 工业设备中的电机控制和驱动。
5. 计算机和服务器电源管理模块。
6. 可再生能源系统中的功率转换与管理。
7. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
VR75A0402HQCT00, IRF7540PBF
