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VR4DU286428EBK 发布时间 时间:2025/12/26 0:04:16 查看 阅读:14

VR4DU286428EBK是一款由Vishay Semiconductors生产的高精度、低功耗电压参考芯片,广泛应用于需要稳定参考电压的精密模拟电路中。该器件采用先进的薄膜电阻和齐纳二极管技术,确保在宽温度范围和长期使用条件下仍能保持出色的电压稳定性。其封装形式为小型表面贴装SOT-23-3,适合对空间要求较高的便携式设备和高密度PCB布局设计。该电压参考专为高可靠性应用而设计,在工业控制、医疗设备、测试测量仪器以及数据采集系统中表现出色。器件内部集成了缓冲放大器,能够提供低输出阻抗,从而支持直接驱动模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)或其他敏感模拟负载,无需额外的外部缓冲电路。此外,VR4DU286428EBK具有出色的噪声性能和低温漂特性,使其成为高分辨率系统中的理想选择。

参数

型号:VR4DU286428EBK
  制造商:Vishay Semiconductors
  封装类型:SOT-23-3
  参考电压:2.048 V
  初始精度:±0.1%
  温度系数:8 ppm/°C(典型值)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  输出电流能力:±10 mA
  静态电流:950 μA(典型值)
  长期稳定性:20 ppm/√kHr
  输出噪声:8 μVpp(0.1 Hz 至 10 Hz)
  线路调整率:20 ppm/V
  负载调整率:15 ppm/mA
  输入电压范围:2.7 V 至 5.5 V
  调节方式:固定输出

特性

VR4DU286428EBK具备卓越的温度稳定性,其典型的温度系数仅为8 ppm/°C,在-40°C至+125°C的宽工作温度范围内能够维持高度一致的输出电压表现。这一特性对于在恶劣环境或温度变化剧烈的应用中保持系统精度至关重要,例如工业传感器信号调理或户外测量设备。该器件采用薄膜电阻阵列和埋入式齐纳基准核心结构,有效减少了热电动势和老化效应的影响,从而显著提升了长期可靠性与电压稳定性。其低噪声性能——在0.1 Hz到10 Hz频段内输出噪声仅为8 μVpp——使其非常适合用于高分辨率模数转换系统,如24位Σ-Δ ADC,可避免参考电压噪声成为系统信噪比的瓶颈。
  该电压参考内置输出缓冲放大器,具备较强的驱动能力,可提供±10 mA的输出电流,足以直接驱动多个ADC或DAC的参考输入端口,简化了外围电路设计并节省PCB空间。同时,低至950 μA的静态电流使其适用于电池供电或低功耗系统,兼顾高性能与能效。其线路和负载调整率分别达到20 ppm/V和15 ppm/mA,表明即使在电源波动或负载变化的情况下,输出电压仍能保持高度稳定。
  VR4DU286428EBK还具备出色的长期稳定性指标,典型值为20 ppm/√kHr,这意味着在长时间运行过程中电压漂移极小,有助于减少校准频率,提升系统维护效率。器件符合RoHS标准,采用无铅封装工艺,并通过了AEC-Q100等可靠性认证,适用于汽车电子等高要求领域。此外,其SOT-23-3封装体积小巧,便于自动化贴片生产,适合大规模制造应用。

应用

VR4DU286428EBK常用于需要高精度电压基准的各种应用场景。在工业自动化领域,它被广泛集成于PLC模块、压力/温度变送器和过程控制系统中,作为ADC或DAC的参考源,确保传感器信号转换的准确性。在医疗电子设备中,如便携式监护仪、血糖仪和心电图机,该器件提供的低噪声、低温漂特性保障了生命体征数据采集的可靠性与重复性。在测试与测量仪器,如数字万用表、示波器前端和数据记录仪中,其高稳定性和低长期漂移特性有助于维持校准状态,延长设备校准周期。
  在精密数据采集系统(DAQ)中,尤其是在多通道同步采样架构下,VR4DU286428EBK可作为共享参考源,保证各通道间的一致性。此外,该器件也适用于电池供电的物联网终端节点、无线传感网络和手持式检测工具,因其低功耗和高精度的平衡特性,能够在有限能源条件下实现高质量模拟信号处理。在汽车电子中,可用于车载传感器接口、电池管理系统(BMS)中的电压监测单元以及高级驾驶辅助系统(ADAS)的模拟前端电路。其宽温特性和高可靠性满足了严苛的车载环境需求。

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