时间：2025/6/23 10:54:22
阅读：6
D30P03_P是一种N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效率功率转换的理想选择。
该MOSFET具有较低的栅极电荷和输出电容，有助于减少开关损耗并提高系统效率。同时，它具备良好的热特性和电气性能，能够承受较高的瞬态电压。
最大漏源电压：30V
最大连续漏电流：16A
最大栅源电压：±20V
导通电阻（典型值）：3mΩ
栅极电荷：14nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在大电流应用中降低功耗。
2. 快速开关能力，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的耐用性和可靠性。
4. 小型化封装设计，便于PCB布局和散热管理。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 具有出色的热稳定性和电气性能，适应恶劣的工作环境。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 汽车电子中的负载开关
5. 工业控制中的电机驱动
6. LED照明驱动电路
7. 各种功率管理和配电应用
IRLZ44N, AO3400A, FDP5570
