时间：2025/6/20 23:24:01
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MTD20N03HL是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等特点。它适用于各种功率转换应用，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理等场景。
MTD20N03HL的额定电压为30V，能够处理高达20A的连续漏极电流。其优化的设计使其在高频开关应用中表现出色，同时具备出色的效率和可靠性。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：20A
栅极阈值电压：2.5V 至 4.0V
导通电阻（典型值）：17mΩ
最大功耗：18W
结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：TO-220
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），提高了功率转换效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
3. 快速开关性能，减少了开关损耗。
4. 良好的热稳定性，适合高温环境下的工作。
5. 符合RoHS标准，环保设计。
6. 具备短路保护功能，增加了系统的安全性。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 照明系统中的调光和稳压控制。
6. 电池管理系统中的充放电控制。
IRFZ44N
STP20NF03L
FDP15N30E
