您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > VQ1000P

VQ1000P 发布时间 时间:2025/6/4 19:04:53 查看 阅读:4

VQ1000P是一种高性能的功率MOSFET器件,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,能够提供高效率、低损耗的开关性能,同时具备良好的热稳定性和可靠性。VQ1000P适合在需要高电流、高电压处理能力的场景下使用。

参数

最大漏源电压:1000V
  连续漏极电流:4.5A
  栅极-源极电压:±20V
  导通电阻:650mΩ
  开关频率:100kHz
  功耗:3W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

VQ1000P具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:额定电压高达1000V,适用于高压应用场景。
  2. 低导通电阻:典型值为650mΩ,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度:支持最高100kHz的开关频率,减少开关损耗。
  4. 强大的热稳定性:能够在极端温度条件下可靠运行,工作温度范围宽达-55℃至+175℃。
  5. 紧凑封装:通常采用TO-220或DPAK封装,便于散热设计和PCB布局。
  6. 高可靠性:经过严格的电气和环境测试,确保长期使用的稳定性。

应用

VQ1000P适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 逆变器
  4. 电机驱动
  5. 工业自动化设备
  6. 太阳能微逆变器
  7. 高压负载开关
  8. 能量存储系统中的充放电管理
  VQ1000P凭借其高耐压和高效性能,成为上述应用的理想选择。

替代型号

VQ100N06,
  VQ100N08,
  IRFP260N,
  STP10NK50Z

VQ1000P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

VQ1000P资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

VQ1000P参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压60 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流0.225 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)5.5 Ohms
  • 配置Quad
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-226AA-14
  • 封装Tube
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1.3 W
  • 工厂包装数量25