型号：AD8207WBRZ-R7
　　制造商：Analog Devices
　　封装/外壳：SOIC-8
　　增益：50 V/V
　　增益误差：±0.3%（典型值）
　　带宽：300 kHz
　　共模输入电压范围：-0.3 V 至 +65 V
　　电源电压范围：4.5 V 至 5.5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　输出电压范围：0.1 V 至 (V+ - 1.2) V
　　输入偏置电流：±10 nA
　　失调电压：±200 μV（最大值）
　　共模抑制比（CMRR）：80 dB（最小值）
　　电源电流：900 μA（典型值）
　　输出负载：≥10 kΩ || ≤100 pF
　　安装类型：表面贴装

AD8207WBRZ-R7的核心特性之一是其卓越的高共模电压承受能力，可在-0.3 V至+65 V的宽共模电压范围内正常工作，使其能够直接连接到高压侧的分流电阻上，无需额外的电平移位或隔离电路，从而简化系统设计并提高整体可靠性。这一特性尤其适用于汽车应用中的电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器、电机控制器等场景，在这些环境中常常存在剧烈波动的高电压节点。
　　其次，该器件具有固定的50倍增益设置，通过内部激光修调的精密电阻网络实现，保证了增益的一致性与长期稳定性。增益误差典型值仅为±0.3%，显著优于多数同类产品，有助于提升电流测量的准确性。同时，其输入失调电压极低（最大±200 μV），结合高共模抑制比（最小80 dB），有效减少了因外部干扰或温漂引起的测量偏差。
　　AD8207WBRZ-R7采用单电源供电，工作电压范围为4.5 V至5.5 V，典型电源电流仅为900 μA，具备良好的能效表现，适合对功耗敏感的应用场合。其输出级设计支持驱动标准模拟负载（≥10 kΩ并联≤100 pF），可直接连接至ADC进行模数转换。此外，该芯片内置输出箝位功能，防止过压损坏后续电路，增强了系统的鲁棒性。
　　该器件基于BiFET工艺制造，具备优良的输入阻抗特性和低偏置电流（±10 nA），减少对传感信号源的影响。它还经过全面的ESD保护设计（HBM模型可达±2 kV），适应严苛的工业和车载环境。整个器件可在-40°C至+125°C的宽温度范围内稳定运行，满足AEC-Q100汽车级认证要求，确保在极端温度条件下的长期可靠性。

AD8207WBRZ-R7主要用于需要在高压环境下进行精确电流检测的应用领域。在汽车电子方面，它被广泛用于电动助力转向系统（EPS）、变速器控制单元（TCU）、车身控制模块（BCM）、车载充电机（OBC）、DC-DC变换器以及电池管理系统的电流采样环节，特别是在高压母线或电机相线上进行双向电流监控时表现出色。其高共模电压能力和抗噪性能使其能够在复杂的电磁干扰环境中提供稳定的信号输出。
　　在工业自动化领域，AD8207WBRZ-R7可用于PLC模块中的电流环接收器、伺服驱动器、工业电源监控系统以及智能断路器中的过流检测单元。由于其具备高精度和低温漂特性，也常用于测试与测量设备中作为前端信号调理元件。
　　此外，该芯片还可应用于新能源系统，如太阳能逆变器、风力发电变流器中的直流侧或交流侧电流检测，以及储能系统的充放电电流监测。凭借其紧凑的SOIC-8封装和无需外部元件即可工作的特点，AD8207WBRZ-R7大幅降低了PCB布局复杂度和物料清单成本，提升了系统集成度与可维护性。

AD8207YRZ-RL