ATS668LSMTN-T 是一款由安森美(onsemi)推出的基于 CMOS 工艺的霍尔效应锁存器。它具有高灵敏度、低功耗和宽工作电压范围等特点,适用于需要检测磁场变化的应用场景。
该器件通过检测垂直于封装表面的磁场极性来切换输出状态,并在南极和北极磁场之间自动切换。由于其优异的性能和稳定性,ATS668LSMTN-T 在工业自动化、消费电子以及汽车应用中得到了广泛使用。
类型:霍尔效应锁存器
工艺:CMOS
工作电压:1.6V 至 3.6V
电源电流(最大):10μA
磁滞(BHYS):15G
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:LSSOP-T
输出类型:漏极开路
ATS668LSMTN-T 的主要特性包括以下几点:
1. 高灵敏度:能够检测低至几十高斯的磁场变化,适用于多种应用场景。
2. 低功耗设计:典型工作电流仅为几微安,非常适合电池供电设备。
3. 宽工作电压范围:支持从 1.6V 到 3.6V 的电压输入,增强了器件的兼容性。
4. 快速响应时间:具备快速的信号转换能力,可满足实时检测需求。
5. 小型封装:采用 LSSOP-T 封装,节省了 PCB 空间,适合紧凑型设计。
6. 可靠性高:经过严格测试,能够在恶劣环境下保持稳定运行。
7. EMI 抗扰性强:内置滤波功能,有效减少电磁干扰对性能的影响。
ATS668LSMTN-T 广泛应用于以下几个领域:
1. 速度和位置传感:用于电机控制、编码器反馈等场合。
2. 开关检测:如接近开关、液位开关等。
3. 消费电子产品:手机翻盖检测、平板电脑闭合检测等。
4. 汽车电子:座椅调节、油门踏板位置检测等。
5. 工业自动化:流量计、阀门位置监控等。
该器件凭借其出色的性能表现,成为许多精密测量与控制系统的理想选择。
ATS665LSMTN-T, A1160LUT-T