型号：VPS07T
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30 V
　　最大连续漏极电流（Id）：40 A（在TC=25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（Idm）：120 A
　　导通电阻Rds(on)：典型值4.5 mΩ（在Vgs=10 V时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.8 V ~ 2.5 V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20 V
　　功耗（Ptot）：90 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerSSO-36 (PowerFLAT 5x6)
　　安装方式：表面贴装SMD

VPS07T具备优异的电气和热性能，其核心优势在于极低的导通电阻Rds(on)，在Vgs=10V条件下，典型值仅为4.5mΩ，这显著降低了在大电流应用中的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。这种低Rds(on)特性使其非常适合用于高电流密度的电源转换系统，如同步整流DC-DC变换器和电池管理系统中的负载开关。器件采用了ST先进的沟道MOSFET制造工艺，结合了深沟槽栅极结构与超结（Field-Stop）技术，不仅提升了载流子迁移率，还有效抑制了短沟道效应，确保在高温和高电压应力下依然保持稳定的开关行为。
　　该MOSFET的封装为PowerSSO-36，也称为PowerFLAT 5x6，是一种底部散热增强型表面贴装封装，能够通过PCB上的散热焊盘高效地将热量传导至外部环境，极大改善了热阻性能。其典型结到外壳热阻（RthJC）约为1.3°C/W，结到环境热阻（RthJA）在良好布局下可低于25°C/W，这对于长时间运行在高功率状态下的应用至关重要。此外，该封装的小尺寸（5mm x 6mm）有助于节省宝贵的PCB空间，满足便携式设备和紧凑型工业模块对小型化的需求。
　　VPS07T还具备出色的动态性能，包括快速的开关速度和较低的栅极电荷（Qg），这减少了开关过程中的能量损耗，有利于提升高频工作的效率。同时，其输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss）经过优化，使得在PWM控制应用中能够实现更平滑的驱动响应，并降低噪声干扰。器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构，如H桥电机驱动和同步降压电路。
　　在可靠性方面，VPS07T通过了严格的工业级认证测试，支持宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C），可在恶劣的热环境中长期稳定运行。它还具备良好的雪崩耐受能力，能够在瞬态过压情况下保护自身不被击穿。此外，该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，表明其不仅适用于工业领域，也可用于车载电子系统，如电动助力转向（EPS）、车载充电机和DC-DC转换模块。综合来看，VPS07T凭借其高性能、高可靠性和紧凑封装，成为现代高效能功率电子设计中的优选器件之一。

VPS07T广泛应用于多种高效率、高电流的电力电子系统中。典型应用场景包括：同步整流型DC-DC降压或升压转换器，特别是在服务器电源、通信设备电源模块和嵌入式系统中作为主开关或整流开关；电池供电系统中的负载开关和电源路径管理，如便携式医疗设备、手持终端和无人机电源系统；电机驱动电路，尤其是在直流无刷电机（BLDC）和步进电机的H桥驱动中担任功率开关角色；工业自动化控制系统中的固态继电器替代方案，用于实现无触点的高频率开关操作；此外，该器件还可用于LED驱动电源、太阳能微逆变器、电动工具电池包内的保护电路以及车载电子设备中的电源管理单元。由于其具备良好的热性能和高电流处理能力，VPS07T尤其适合那些要求长时间持续大电流输出且散热条件有限的应用环境。

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　　 "IPD070N03LG",
　　 "IRLHS3571",
　　 "FDMS7680",
　　 "SI4288DY",
　　 "AOZ5238EQI"
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