制造商：Qorvo
　　产品类型：射频功率放大器
　　技术工艺：GaN on SiC
　　工作频率范围：700 MHz ~ 6 GHz
　　输出功率（Pout）：30 dBm（典型值）
　　增益：28 dB（典型值）
　　电源电压：+28 V
　　静态电流：350 mA（可调）
　　效率：55%（功率附加效率PAE）
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：表面贴装，陶瓷封装
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　调制带宽：支持高达160 MHz瞬时带宽
　　互调失真（IMD3）：<-30 dBc @ Pout = 28 dBm
　　小信号噪声系数：2.5 dB（典型值）

VPA07的核心优势在于其基于GaN on SiC（氮化镓在碳化硅衬底上）的半导体工艺技术，这种材料组合赋予了器件极高的电子迁移率和热导率，使得它能够在高频、高功率条件下持续稳定工作。相比传统的LDMOS或GaAs技术，GaN提供了更高的击穿电压和功率密度，这意味着在相同体积下可以实现更大的输出功率和更高的能效。这一特性对于现代通信系统尤其是5G毫米波前传和微波回程网络至关重要，因为它能够显著减少散热需求并降低系统整体功耗。
　　该器件具有非常宽的工作频率范围，覆盖从700MHz到6GHz的多个通信频段，包括但不限于LTE Band 28、CBRS、Wi-Fi 6E以及部分5G NR子6GHz频谱。这种宽带能力使其无需更换硬件即可支持多模多频操作，极大地增强了系统设计的灵活性。同时，VPA07具备优异的线性度和低互调失真水平，在复杂调制信号环境下仍能保持良好的信号保真度，有效降低误码率并提升数据吞吐量。
　　在实际应用中，VPA07支持可编程偏置功能，允许工程师通过调整栅极电压来优化静态工作点，从而在效率与线性度之间取得最佳平衡。此功能特别适用于需要动态功率控制的场景，例如自适应调制系统或智能天线阵列。此外，该芯片集成了片内匹配网络，简化了外围电路设计，减少了PCB布局复杂度，并降低了整体物料成本。其陶瓷封装不仅提供了良好的射频隔离性能，还增强了机械强度和长期可靠性，适合部署在户外基站或恶劣环境中。
　　热管理方面，VPA07表现出色。得益于SiC衬底的高热导率，热量可以从有源区迅速传导至封装底部，配合适当的散热器设计，可在高功率连续运行状态下维持结温在安全范围内。厂商还推荐使用DC-DC转换器为其供电，以提高电源稳定性并抑制纹波干扰。总体而言，VPA07是一款兼顾高性能、高可靠性和设计便利性的先进射频功率放大器解决方案，适用于对系统性能要求极高的专业通信设备。

VPA07主要应用于需要高线性度和高效率的射频功率放大的场景。典型应用包括5G宏基站和小型蜂窝基站的射频前端模块，特别是在sub-6GHz频段的Massive MIMO天线系统中发挥关键作用。此外，它也被广泛用于点对点和点对多点微波回传链路，支持高速数据传输和长距离通信。在国防和航空航天领域，VPA07可用于电子对抗（ECM）、雷达发射机和安全通信系统，因其具备宽频带响应和高抗干扰能力。测试与测量仪器如信号发生器、频谱分析仪和自动化测试设备（ATE）也常采用该芯片作为内部激励源的驱动级。另外，在卫星通信地面站和宽带无线接入系统（如WISP）中，VPA07能够提供稳定的高功率输出，保障远距离链路的可靠性。由于其支持多种调制方式和宽瞬时带宽，该器件还可用于软件定义无线电（SDR）平台和认知无线电系统，满足未来可重构通信网络的发展需求。

VPA09
　　VPA11
　　QPA2211
　　AMMP-6540