时间：2025/5/7 14:49:50
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VO617A-2X017T 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，专为高频和高效率应用而设计。该器件采用常关型增强模式 GaN 晶体管结构，具有极低的导通电阻和快速开关特性。其封装形式为 TO-252（DPAK），能够有效提高热性能并简化电路设计。
这款晶体管适用于需要高效能、高频率工作的电源转换器和开关电源等应用场景，例如 DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及电池充电器等。
类型：增强型 MOSFET
材料：GaN
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：7 A
导通电阻：130 mΩ（典型值）
栅极阈值电压：1.8 V - 4.0 V
输入电容：1500 pF
反向恢复时间：无（由于是 GaN 器件）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
VO617A-2X017T 提供了多种卓越的性能特点，包括但不限于以下几点：
1. 极低的导通电阻，可显著降低导通损耗。
2. 高速开关能力，支持 MHz 级别的工作频率，从而减小无源元件尺寸并提升功率密度。
3. 内置 ESD 保护功能以增强可靠性。
4. 使用 GaN 技术实现了更高的效率与更紧凑的设计。
5. 更优的热管理能力，确保在高功率条件下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
VO617A-2X017T 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 无线充电设备中的功率传输模块。
3. 数据中心和服务器供电系统。
4. 电动汽车车载充电器及电机驱动器。
5. 快速充电适配器和其他消费类电子产品的电源解决方案。
6. 高效谐振拓扑如 LLC 和相移全桥电路中的关键组件。
VO617A-2X016T, VO617B-2X017T
