时间：2025/9/6 21:32:37
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HZM15NB1是一款由Hyundai（现代）公司推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器、电机控制等高功率电子设备中。该晶体管属于N沟道增强型MOSFET，具备高耐压、低导通电阻以及高开关速度的特点，适用于需要高效能与稳定性的电源转换系统。其封装形式通常为TO-220或TO-263（D2PAK）等标准功率封装，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：15A
漏源极击穿电压（VDS）：60V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约45mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-263（具体型号可能略有差异）
HZM15NB1具有多项优异的电气和热性能。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率；高达15A的连续漏极电流能力使其适用于中高功率应用场景；60V的漏源极电压等级确保其在多种电压环境下具备良好的稳定性。此外，该器件具有良好的热稳定性和过热保护能力，能在高温条件下维持稳定工作。HZM15NB1还具备快速开关特性，适合用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外围电路的体积和重量。
HZM15NB1主要应用于各类电源管理系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器、UPS（不间断电源）、逆变器、LED驱动电源、工业自动化控制设备以及汽车电子系统等。由于其具备较高的电流容量和较低的导通损耗，也常被用于同步整流电路和负载开关控制。
IRFZ44N, STP16NF06, FDPF15N60, Si444N
