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AONS74312 发布时间 时间:2025/4/29 16:03:52 查看 阅读:2

AONS74312 是一款由 Alpha and Omega Semiconductor(万代半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。它适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及便携式电子设备中的功率转换。
  这款 MOSFET 以小型化的封装设计为特点,能够有效节省 PCB 空间,同时提供卓越的电气性能。其工作电压范围广泛,非常适合用于中低压场景下的功率控制和切换。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:5.8A
  导通电阻:1.9mΩ
  栅极电荷:16nC
  开关速度:快速
  封装类型:LFPAK56 (PowerSO-8)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

AONS74312 提供了非常低的导通电阻(Rds(on)),仅为 1.9mΩ,这显著减少了功率损耗并提升了效率。
  该器件还具备快速开关特性,有助于减少开关损耗,并在高频应用中表现出色。
  其栅极电荷较低(16nC),可以降低驱动功耗,适合与高效能驱动电路搭配使用。
  AONS74312 的 LFPAK56 封装确保了良好的散热性能和机械稳定性,使其成为紧凑型设计的理想选择。
  此外,该器件支持广泛的温度范围,从 -55°C 到 +175°C,保证了在极端环境下的可靠运行。

应用

AONS74312 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 同步整流电路
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 负载开关
  5. 电机驱动
  6. 工业自动化设备
  7. 消费类电子产品中的功率转换模块
  由于其高性能和小尺寸,该 MOSFET 特别适合对空间敏感的设计以及需要高效功率传输的应用场景。

替代型号

AONP74312
  AOSS74312
  DMN1029UFQ
  IRLDS1402TRPBF

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