时间：2025/7/23 13:35:42
阅读：7
VNV28N04TR-E是一款由 Vishay Semiconductors 生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效能电源管理应用而设计，具有低导通电阻、高开关速度和高电流承载能力。由于其优越的热性能和紧凑的封装形式，VNV28N04TR-E广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等场景。该MOSFET采用先进的沟槽式技术，以实现更小的导通损耗和更高的能效。此外，该器件的封装设计有助于提高散热效率，确保在高功率密度环境下稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
漏极电流（ID）：80A
导通电阻（RDS(on)）：8.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
VNV28N04TR-E具备多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻，在VGS=10V时仅为8.5mΩ，这意味着在导通状态下，该器件的功耗非常低，从而提高了整体系统的效率。该MOSFET的漏源电压为40V，适合中高功率应用。其栅源电压容限为±20V，具有良好的栅极保护能力，能够承受一定的过压情况。
该器件的最大漏极电流可达80A，适用于需要高电流处理能力的应用场景。此外，VNV28N04TR-E采用了PowerPAK SO-8封装，这种封装形式具有优异的热管理性能，使得器件能够在高功率运行时保持较低的温度，提高可靠性。
在开关性能方面，VNV28N04TR-E具有快速的上升和下降时间，有助于减少开关损耗，提高系统响应速度。该MOSFET还具备良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适用于环保要求较高的应用领域。
VNV28N04TR-E广泛应用于多种电源管理系统和高电流开关场合。在DC-DC转换器中，该MOSFET可用于高效降压或升压电路，提供稳定的电压转换。在电池管理系统中，VNV28N04TR-E可以作为主开关器件，控制电池的充放电过程，确保系统安全运行。
在电机驱动和控制电路中，该器件的高电流承载能力和低导通电阻特性，使其能够有效驱动大功率电机，同时减少发热和能量损耗。此外，VNV28N04TR-E也适用于负载开关、电源管理模块、服务器电源系统以及嵌入式控制系统。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载电源系统、LED照明控制、电动助力转向系统等。由于其封装体积小、效率高，特别适用于空间受限但对性能要求较高的应用场景。
SiSS840BT-SI, IRF7484TRPBF, SQJ482EP-T1_GE3
