时间：2025/7/23 2:28:57
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VNS3NV04TR-E 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和开关应用。这款器件采用先进的沟道技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特点，非常适合用于高频率开关电路。VNS3NV04TR-E 采用 TSOP 封装，具有良好的热性能和电气性能，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子等多种应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：3.6A
导通电阻 RDS(on)：120mΩ @ VGS=10V
导通电阻 RDS(on)：170mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TSOP
VNS3NV04TR-E 具有以下主要特性：
1. **低导通电阻**：该器件在 VGS=10V 和 VGS=4.5V 时分别具有 120mΩ 和 170mΩ 的 RDS(on)，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. **高频率性能**：由于其低输入电容和快速开关特性，VNS3NV04TR-E 非常适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器和同步整流电路。
3. **宽工作温度范围**：该 MOSFET 支持从 -55°C 到 +150°C 的工作温度范围，使其适用于各种恶劣环境下的应用，包括汽车电子系统。
4. **高可靠性**：采用先进的制造工艺和封装技术，VNS3NV04TR-E 在高温和高电流条件下仍能保持稳定工作，具有较长的使用寿命。
5. **良好的热管理**：TSOP 封装设计具有良好的热传导性能，能够有效散发工作时产生的热量，确保器件在高负载条件下也能保持较低的工作温度。
6. **适用于多种应用**：VNS3NV04TR-E 由于其高性能和可靠性，广泛应用于电源管理、马达控制、负载开关和电池管理系统等场合。
VNS3NV04TR-E MOSFET 主要应用于以下领域：
1. **电源管理系统**：在 DC-DC 转换器、同步整流器和稳压器中，VNS3NV04TR-E 可用于高效能的电源转换和管理，提高系统的整体效率。
2. **电机控制**：在直流电机驱动和步进电机控制电路中，该 MOSFET 可作为开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。
3. **负载开关和电源开关**：VNS3NV04TR-E 可用于实现负载的快速开关控制，适用于电池供电设备中的电源管理模块。
4. **电池管理系统**：在锂电池保护电路和充放电控制系统中，该器件可用于控制电流的流向和大小，确保电池的安全运行。
5. **工业自动化和控制系统**：VNS3NV04TR-E 可用于工业设备中的电源开关和信号控制，提供可靠的开关性能。
6. **消费类电子产品**：例如在笔记本电脑、平板电脑和其他便携式电子设备中，该 MOSFET 可用于电源管理电路，提高设备的续航能力。
SI2302DS, FDS6675, AO3400, IRF7404, BSS138
