时间：2025/7/14 15:01:17
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VNS3NV04P-E 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于在高电压和大电流条件下提供低导通电阻和快速开关性能，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流 (Id)：26A（在25°C时）
最大漏源电压 (Vds)：30V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：约7.8mΩ（当Vgs=10V时）
功耗 (Pd)：110W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PowerPAK SO-8 双片封装
VNS3NV04P-E 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。它采用先进的沟槽技术制造，使得器件在高压和大电流下仍能保持稳定的性能。
该MOSFET具有出色的热性能，得益于其优化的封装设计，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定运行。此外，VNS3NV04P-E 还具备较高的雪崩能量耐受能力，使其能够在瞬态过压情况下保持可靠性。
由于其高速开关特性，该器件可以用于高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸，提升整体系统的功率密度。同时，它的栅极驱动要求较低，能够与多种控制器或驱动器兼容，简化了电路设计。
VNS3NV04P-E 常用于高性能电源管理电路中，例如同步整流的DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源和电信设备电源模块。此外，它也适用于汽车电子中的各种电源转换应用，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及启停系统等。
在工业自动化和电机控制领域，该MOSFET可作为高效的功率开关使用，支持精确的电流控制和保护机制。其优异的热管理和高频操作能力也使其成为紧凑型设计的理想选择。
Si4410BDY-E3-GEVB, FDS6680, IPD90N03S4-07
