时间：2025/7/1 19:56:35
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SI3586DV-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沃特功率 MOSFET，采用 TrenchFET Gen IV 技术。这种 MOSFET 专为高效能开关应用设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理场景。
该器件的封装形式为 PowerPAK SC-70-6，体积小巧，适合空间受限的设计环境。
型号：SI3586DV-T1-E3
类型：N 沃特 MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：2.4mΩ（典型值，在 VGS=10V 下）
IDS（连续漏极电流）：17A
功耗：1.6W
封装：PowerPAK SC-70-6
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI3586DV-T1-E3 具备出色的性能特点，主要体现在以下方面：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，支持高频开关应用，减少开关损耗。
3. 采用 TrenchFET Gen IV 技术，优化了电荷与栅极驱动要求之间的平衡。
4. 小型化封装 PowerPAK SC-70-6，节省电路板空间，同时保持良好的散热性能。
5. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
这些特性使 SI3586DV-T1-E3 成为便携式设备、消费电子及工业控制领域的理想选择。
这款 MOSFET 广泛应用于需要高效能功率转换的场合，包括但不限于：
1. DC/DC 转换器中的同步整流开关。
2. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
3. 电池供电设备中的负载开关。
4. 电机驱动中的功率输出级。
5. 各类保护电路，例如过流保护和短路保护。
其高性能和小尺寸使其非常适合对空间和效率有严格要求的应用场景。
SI3474DS, SI3484DS, BSC017N06NSG
