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VNS3NV04DP 发布时间 时间:2025/7/22 16:27:32 查看 阅读:4

VNS3NV04DP是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换和开关应用而设计,具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。VNS3NV04DP采用先进的沟槽栅技术,提供出色的电气性能和可靠性,适用于各种工业和消费类电子产品。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):40V
  漏极电流(ID):180A(在VGS=10V时)
  导通电阻(RDS(on)):最大4.5mΩ(在VGS=10V时)
  栅极电荷(Qg):约180nC
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装形式:PowerFLAT 5x6 HV

特性

VNS3NV04DP MOSFET具有多个显著的技术特性。首先,其低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件具有高电流承载能力和良好的热管理性能,适用于高功率密度应用。此外,VNS3NV04DP具备优异的雪崩耐受能力,确保在极端工作条件下的稳定性和可靠性。其先进的沟槽栅结构不仅提高了开关速度,还降低了开关损耗,有助于实现高频操作。最后,该MOSFET具有良好的抗短路能力,能够在短时间内承受高电流应力而不损坏。
  VNS3NV04DP还具有低栅极电荷(Qg),使其适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。其宽泛的工作温度范围也使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。

应用

VNS3NV04DP广泛应用于各种高功率和高频开关场景。典型应用包括汽车电子系统(如车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统)、工业电源、服务器电源、电机控制、光伏逆变器以及各种DC-DC转换器。由于其出色的导通和开关性能,它也非常适合用于高效率电源模块和功率因数校正(PFC)电路。

替代型号

STL31N40M5, IPP045N04N, IPW60R045C6

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