时间：2025/7/22 16:27:32
阅读：7
VNS3NV04DP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率功率转换和开关应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性。VNS3NV04DP采用先进的沟槽栅技术，提供出色的电气性能和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）：180A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：最大4.5mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约180nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：PowerFLAT 5x6 HV
VNS3NV04DP MOSFET具有多个显著的技术特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高电流承载能力和良好的热管理性能，适用于高功率密度应用。此外，VNS3NV04DP具备优异的雪崩耐受能力，确保在极端工作条件下的稳定性和可靠性。其先进的沟槽栅结构不仅提高了开关速度，还降低了开关损耗，有助于实现高频操作。最后，该MOSFET具有良好的抗短路能力，能够在短时间内承受高电流应力而不损坏。
VNS3NV04DP还具有低栅极电荷（Qg），使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、电机驱动和电源管理系统。其宽泛的工作温度范围也使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
VNS3NV04DP广泛应用于各种高功率和高频开关场景。典型应用包括汽车电子系统（如车载充电器、电池管理系统和电动助力转向系统）、工业电源、服务器电源、电机控制、光伏逆变器以及各种DC-DC转换器。由于其出色的导通和开关性能，它也非常适合用于高效率电源模块和功率因数校正（PFC）电路。
STL31N40M5, IPP045N04N, IPW60R045C6
