时间：2025/7/10 0:28:52
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VNS1NV04PTR-E 是一款 N 沣道晶体管（N-Channel MOSFET），广泛应用于功率转换、负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动和电池保护等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该型号属于 Vishay Siliconix 的 NexFET 系列，专为高效能应用设计，适合消费电子、工业设备及通信设备中的多种用途。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻（Rds(on)）：7.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：10nC（典型值）
总电容：135pF（输入电容）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：SOT-23
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗，从而提升整体系统效率。
2. 快速开关能力，使得 VNS1NV04PTR-E 在高频应用中表现出色，适用于高效率的开关电源。
3. 小型化封装 SOT-23，使其非常适用于空间受限的设计环境。
4. 高雪崩能力和鲁棒性，确保在过载或异常条件下依然稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保，支持无铅焊接工艺。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
2. 负载开关，用于便携式设备和计算机外设。
3. DC-DC 转换器中的功率级开关。
4. 电池保护电路，防止过度放电或短路。
5. 小型电机驱动，例如风扇、泵或玩具电机控制。
6. 信号切换和保护，如音频信号路径或数据线保护。
SI2302DS, BSS138, AO3400
