VNS1NV04DPTR-E 时间：2025/5/7 13:24:59 阅读：15

VNS1NV04DPTR-E 是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于 Vishay 公司的半导体产品系列。该器件采用小型化封装设计，适用于各种高效能功率管理应用。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用作开关或负载驱动元件。

参数

型号：VNS1NV04DPTR-E
　　类型：N-Channel MOSFET
　　VDS（漏源极电压）：40V
　　RDS(on)（导通电阻）：150mΩ（在 VGS=10V 时）
　　ID（连续漏极电流）：2.6A
　　VGS（栅源电压）：±20V
　　Qg（栅极电荷）：7nC
　　fT（截止频率）：125MHz
　　功耗：0.8W
　　封装形式：DPAK（TO-263）

特性

VNS1NV04DPTR-E 的主要特点包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻 (RDS(on))，从而降低了功率损耗并提高了效率。
　　2. 快速的开关性能，使其非常适合高频开关应用。
　　3. 高雪崩能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
　　4. 良好的热稳定性，保证了长时间运行的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
　　这些特点使该器件成为众多功率转换电路的理想选择，如 DC/DC 转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备中的功率管理模块等。

应用

VNS1NV04DPTR-E 广泛应用于多种电子领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源和 DC/DC 转换器中的功率开关元件。
　　2. 电池管理系统 (BMS)，用于保护锂离子电池组免受过充或过放的影响。
　　3. 电机控制和驱动电路中作为开关元件。
　　4. 汽车电子系统中的负载开关和保护装置。
　　5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
　　6. 各种消费类电子产品中的电源管理单元。