LDTB113ZLT1G 时间：2025/8/13 21:42:30 阅读：28

LDTB113ZLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极晶体管（BJT），采用小型 SOT-23 封装，适用于各种通用开关和放大应用。该器件具有良好的性能和可靠性，适用于消费电子、工业控制、通信设备等多种应用场景。

参数

类型：NPN 双极晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：225mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据工作点不同）
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23

特性

LDTB113ZLT1G 是一款高性能的 NPN 双极晶体管，具备优异的电气特性和稳定的性能，适用于广泛的电子设计应用。其主要特性包括：高电流增益（hFE）范围广，可在不同工作条件下提供可靠的放大能力；最大集电极-发射极电压为 50V，使其适用于中等电压开关应用；最大集电极电流为 100mA，适合低功率信号处理和控制电路；频率响应高达 100MHz，适用于射频和高速开关场景。此外，该器件采用 SOT-23 小型封装，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具有良好的热稳定性和可靠性。LDTB113ZLT1G 还符合 RoHS 环保标准，适用于现代绿色电子产品制造。
　　在实际应用中，LDTB113ZLT1G 可以轻松替换其他标准 NPN 晶体管，如 2N3904 或 BC547，提供更优化的性能表现。其低饱和电压和快速开关特性使其在数字逻辑电路、传感器驱动、LED 控制、音频放大器和电源管理模块中表现出色。此外，该晶体管在工业自动化、通信设备、消费类电子产品和汽车电子系统中均有广泛应用。

应用

LDTB113ZLT1G 主要用于各类电子设备中的信号放大、开关控制和逻辑电路设计。典型应用包括：数字和模拟电路中的晶体管开关、LED 驱动电路、音频放大器输入级、继电器和传感器接口电路、电源管理模块、电池供电设备、消费电子产品（如智能手表、无线耳机）中的信号处理单元，以及工业控制系统中的逻辑控制单元。此外，该晶体管也可用于通信设备中的射频信号处理电路和汽车电子模块的控制单元。